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參數資料
| 型號： | 1N4003GP |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 參考電壓二極管 |
| 英文描述： | 1.0 Ampere Glass Passivated Rectifiers(平均整流1安培的玻璃鈍化結型整流器) |
| 中文描述： | 1 A, 200 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 |
| 封裝： | D4, 2 PIN |
| 文件頁數： | 1/3頁 |
| 文件大小： | 33K |
| 代理商： | 1N4003GP |
1
1N4001GP-1N4007GP, Rev. A
1N4001GP - 1N4007GP
1.0 Ampere Glass Passivated Rectifiers
Absolute Maximum Ratings*
T
A
= 25°C unless otherwise noted
*
These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.
Electrical Characteristics
T
A
= 25°C unless otherwise noted
1999 Fairchild Semiconductor Corporation
Features
Low forward voltage drop.
High surge current capability.
High reliability.
High current capability.
Parameter
Device
Units
4001GP
4002GP
4003GP
4004GP
4005GP
4006GP
4007GP
Peak Repetitive Reverse Voltage
Maximum RMS Voltage
50
35
50
100
70
100
200
140
200
400
280
400
600
420
600
800
560
800
1000
700
1000
V
V
V
DC Reverse Voltage
Maximum Reverse Current
@ rated V
R
(Rated V
R
)
T
A
= 25
°
C
T
A
= 125
°
C
5.0
50
1.1
8.0
μ
A
μ
A
V
pF
Maximum Forward Voltage @ 1.0 A
Typical Junction Capacitance
V
R
= 4.0 V, f = 1.0 MHz
DO-41
COLOR BAND DENOTES CATHODE
Symbol
Parameter
Value
Units
I
O
Average Rectified Current
.375 " lead length @ T
A
= 75
°
C
Peak Forward Surge Current
8.3 ms single half-sine-wave
Superimposed on rated load (JEDEC method)
Total Device Dissipation
Derate above 25
°
C
Thermal Resistance, Junction to ambient
Storage Temperature Range
Operating Junction Temperature
1.0
A
i
f(surge)
30
A
P
D
3.0
20
50
W
mW/
°
C
°
C/W
°
C
°
C
R
θ
JA
T
stg
T
J
-65 to +175
-65 to +175
1.0 min
(25.4)
0.107 (2.72)
0.080 (2.03)
0.034 (0.86)
0.028 (0.71)
0.205 (5.21)
0.160 (4.06)
Dimensions in
inches (mm)
Discrete POWE R & Signal
Technologies
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1N4004GP | 1.0 Ampere Glass Passivated Rectifiers(平均整流1安培的玻璃鈍化結型整流器) |
| 1N4005GP | 1.0 Ampere Glass Passivated Rectifiers(平均整流1安培的玻璃鈍化結型整流器) |
| 1N4006GP | 1.0 Ampere Glass Passivated Rectifiers(平均整流1安培的玻璃鈍化結型整流器) |
| 1N4045 | 275 Amp Avg Power Silicon Rectifier Diodes |
| 1N4085A | surface mount silicon Zener diodes |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 1N4003GP/1 | 功能描述:整流器 Vr/200V Io/1A BULK Glass Passivated RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復時間:1.2 us 正向連續電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel |
| 1N4003GP/23 | 功能描述:整流器 Vr/200V Io/1A Glass Passivated RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復時間:1.2 us 正向連續電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel |
| 1N4003GP/3 | 功能描述:整流器 200 Volt 1.0 Amp Glass Passivated RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復時間:1.2 us 正向連續電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel |
| 1N4003GP/4 | 功能描述:整流器 Vr/200V Io/1A Glass Passivated RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復時間:1.2 us 正向連續電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel |
| 1N4003GP/54 | 功能描述:整流器 Vr/200V Io/1A Glass Passivated RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復時間:1.2 us 正向連續電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel |
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