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參數資料
| 型號： | 1N4006 |
| 元件分類： | 參考電壓二極管 |
| 英文描述： | 1 A, 800 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2 |
| 文件頁數： | 1/3頁 |
| 文件大小： | 272K |
| 代理商： | 1N4006 |
Number: DB-082
June 2009 Release / B
Page 1
P rel im i na ry D a ta Sh e et
General Purpose Rectifiers
Standard Recovery Plastic Silicon Rectifiers
Specification Features:
Case: Epoxy, Molded
Weight: 0.4 gram (approximately)
Finish: All External Surfaces Corrosion Resistant And Terminal Leads Are
Readily Solderable
Lead And Mounting Surface Temperature For Soldering Purposed:
260℃ Max. For 10 Seconds 1.16 Inch From Case
RoHS Compliant or Halogen Free Option
Low Reverse Leakage, High Forward Surge Capability
Cathode Indicated By Polarity Band
1N400X = Device Part Number
x
= 1 , 2 , 3 , 4 , 5 , 6 or 7
RoHS
Halogen Free
Device
1N400X
1N400XHF
Marking
1N400X
KEL
400XHF
KEL
Absolute Maximum Ratings
TA = 25°C unless otherwise noted
Parameter
Symbol
1N4001
1N4002
1N4003
1N4004
1N4005
1N4006
1N4007
Units
Maximum Repetitive Peak
Reverse Voltage
VRRM
50
100
200
400
600
800
1000
V
Maximum DC Blocking Voltage
VR
50
100
200
400
600
800
1000
V
Maximum Average Forward
Rectifier Current.
(0.375” Lead Length @ TA=75℃)
IF(AV)
1.0
A
Non-repetitive Peak Forward
Surge Current.
(8.3mS Single Half Sine-wave)
IFSM
30
A
Operating Junction and Storage
Temperature Range
TJ, TSTG
-65 to +175
°C
Thermal Resistance
(Junction to Ambient)
RθJA
65
°C/W
Electrical Characteristics
TA = 25°C unless otherwise noted
Parameter
Symbol
1N4001
1N4002
1N4003
1N4004
1N4005
1N4006
1N4007
Units
Reverse Current @VR
IR
5
uA
Forward Voltage @1A
VF
1.1
V
Total Capacitance
@VR=4V, f=1MHz
CT
15
pF
AXIAL LEAD
DO-41
DEVICE MARKING DIAGRAM
1
N
4
0
X
K
E
L
1N
4001
th
ro
u
g
h
1
N
4007
S
e
ri
e
s
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1N4007 | 1 A, 1000 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 |
| 1N4103-BP | 9.1 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35 |
| 1N4108-TP | 14 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35 |
| 1N4111-BP | 17 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35 |
| 1N4619-BP | 3 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 1N4006- | 制造商:TAIW 功能描述:General Purpose 800V Through Hole Rectifier DO-41 1.0A |
| 1N4006 _AY _10001 | 制造商:PanJit Touch Screens 功能描述: |
| 1N4006 BK | 功能描述:DIODE GEN PURP 800V 1A DO41 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:生命周期結束 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:800V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 1A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 800V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向 供應商器件封裝:DO-41 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:2,000 |
| 1N4006 R0 | 制造商:SPC Multicomp 功能描述:DIODE 1A 800V REEL 5K |
| 1N4006 TR | 功能描述:DIODE GEN PURP 800V 1A DO41 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態:生命周期結束 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:800V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 1A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 800V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向 供應商器件封裝:DO-41 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:5,000 |
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