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參數資料
| 型號： | 1N4006 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 參考電壓二極管 |
| 英文描述： | 1.0 Ampere General Purpose Rectifiers(平均整流1安培的通用整流器) |
| 中文描述： | 1 A, 800 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 |
| 封裝： | DO-41, 2 PIN |
| 文件頁數： | 1/2頁 |
| 文件大小： | 36K |
| 代理商： | 1N4006 |
1
1N4001 - 1N4007
1.0 Ampere General Purpose Rectifiers
Absolute Maximum Ratings*
T
A
= 25°C unless otherwise noted
*
These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.
Electrical Characteristics
T
A
= 25°C unless otherwise noted
Discrete POWE R & Signal
Technologies
1998 Fairchild Semiconductor Corporation
Features
Low forward voltage drop.
High surge current capability.
Parameter
Device
Units
4001
50
35
50
4002
100
70
100
4003
200
140
200
4004
400
280
400
4005
600
420
600
4006
800
560
800
4007
1000
700
1000
Peak Repetitive Reverse Voltage
Maximum RMS Voltage
V
V
V
DC Reverse Voltage
Maximum Reverse Current
@ rated V
R
(Rated V
R
)
T
A
= 25
°
C
T
A
= 100
°
C
5.0
500
1.1
30
μ
A
μ
A
V
μ
A
Maximum Forward Voltage @ 1.0 A
Maximum Full Load Reverse Current,
Full Cycle
Typical Junction Capacitance
V
R
= 4.0 V, f = 1.0 MHz
T
A
= 75
°
C
15
pF
DO-41
COLOR BAND DENOTES CATHODE
Symbol
Parameter
Value
Units
I
O
Average Rectified Current
.375 " lead length @ T
A
= 75
°
C
Peak Forward Surge Current
8.3 ms single half-sine-wave
Superimposed on rated load (JEDEC method)
Total Device Dissipation
Derate above 25
°
C
Thermal Resistance, Junction to Ambient
Storage Temperature Range
Operating Junction Temperature
1.0
A
i
f(surge)
30
A
P
D
2.5
20
50
W
mW/
°
C
°
C/W
°
C
°
C
R
θ
JA
T
stg
T
J
-55 to +175
-55 to +150
1.0 min
(25.4)
0.107 (2.72)
0.080 (2.03)
0.034 (0.86)
0.028 (0.71)
0.205 (5.21)
0.160 (4.06)
Dimensions in
inches (mm)
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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