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參數(shù)資料
型號: 1N4006G
廠商: VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
元件分類: 二極管(射頻、小信號、開關(guān)、功率)
英文描述: 1 A, 800 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41
文件頁數(shù): 1/4頁
文件大?。?/td> 133K
代理商: 1N4006G
相關(guān)PDF資料
PDF描述
1N4001S 1 A, 50 V, SILICON, SIGNAL DIODE
1N4001TA2B5 1 A, 50 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41
1N4002TA2B5 1 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41
1N4002 1 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41
1N4003 1 A, 200 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
1N4006-G 功能描述:整流器 VR=800V, IO=1A RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產(chǎn)品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復(fù)時間:1.2 us 正向連續(xù)電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel
1N4006G A0G 功能描述:DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶盒(TB) 零件狀態(tài):在售 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):800V 電流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:1V @ 1A 速度:標準恢復(fù) >500ns,> 200mA(Io) 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 800V 不同?Vr,F(xiàn) 時的電容:10pF @ 4V,1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL,DO-41,軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-204AL(DO-41) 工作溫度 - 結(jié):-55°C ~ 150°C 標準包裝:3,000
1N4006G B0G 功能描述:DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):800V 電流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:1V @ 1A 速度:標準恢復(fù) >500ns,> 200mA(Io) 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 800V 不同?Vr,F(xiàn) 時的電容:10pF @ 4V,1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL,DO-41,軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-204AL(DO-41) 工作溫度 - 結(jié):-55°C ~ 150°C 標準包裝:1,000
1N4006G BK 功能描述:DIODE GEN PURPOSE DO41 制造商:central semiconductor corp 系列:* 零件狀態(tài):生命周期結(jié)束 標準包裝:2,000
1N4006G R0G 功能描述:DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):在售 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):800V 電流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:1V @ 1A 速度:標準恢復(fù) >500ns,> 200mA(Io) 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 800V 不同?Vr,F(xiàn) 時的電容:10pF @ 4V,1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL,DO-41,軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-204AL(DO-41) 工作溫度 - 結(jié):-55°C ~ 150°C 標準包裝:5,000
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