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參數資料
型號: 1N4007GPP
廠商: CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: 參考電壓二極管
英文描述: GLASS PASSIVATED JUNCTION SILICON RECTIFIER 1.0 AMP, 50 THRU 1000 VOLTS
中文描述: 1 A, 1000 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41
文件頁數: 1/2頁
文件大小: 86K
代理商: 1N4007GPP
145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USA
Tel: (631) 435-1110 Fax: (631) 435-1824
相關PDF資料
PDF描述
1N4002-B 1.0A RECTIFIER
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相關代理商/技術參數
參數描述
1N4007GPP BK 功能描述:DIODE GEN PURP 1KV 1A DO41 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:生命周期結束 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):1000V(1kV) 電流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.1V @ 1A 速度:標準恢復 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):2μs 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 1000V 不同?Vr,F 時的電容:8pF @ 4V,1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL,DO-41,軸向 供應商器件封裝:DO-41 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:2,000
1N4007GPP TR 功能描述:DIODE GEN PURP 1KV 1A DO41 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:生命周期結束 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):1000V(1kV) 電流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.1V @ 1A 速度:標準恢復 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):2μs 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 1000V 不同?Vr,F 時的電容:8pF @ 4V,1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL,DO-41,軸向 供應商器件封裝:DO-41 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:5,000
1N4007GP-TP 功能描述:整流器 1000V,1A RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復時間:1.2 us 正向連續電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel
1N4007GP-TR 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:1A,1000V,STD.SUPERECT. - Tape and Reel
1N4007GR0 制造商:Taiwan Semiconductor 功能描述:Diode 1KV 1A 2-Pin DO-41
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