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參數資料
| 型號： | 1N4007T50R |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 二極管(射頻、小信號、開關、功率) |
| 英文描述： | 1 A, 1000 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 |
| 封裝： | D4, 2 PIN |
| 文件頁數： | 1/3頁 |
| 文件大小： | 43K |
| 代理商： | 1N4007T50R |
1N4001-1N4007
1N4001-1N4007, Rev. C
2001 Fairchild Semiconductor Corporation
1N4001 - 1N4007
General Purpose Rectifiers (Glass Passivated)
Absolute Maximum Ratings*
T
A
= 25°C unless otherwise noted
*These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.
Electrical Characteristics
T
A
= 25°C unless otherwise noted
Features
Low forward voltage drop.
High surge current capability.
Symbol
Parameter
Device
Units
4001
4002
4003
4004
4005 4006 4007
V
F
Forward Voltage @ 1.0 A
1.1
V
Irr
Maximum Full Load Reverse Current, Full
Cycle
T
A = 75°C
30
A
I
R
Reverse Current @ rated V
R TA = 25°C
T
A = 100°C
5.0
500
A
CT
Total Capacitance
V
R = 4.0 V, f = 1.0 MHz
15
pF
DO-41
COLOR BAND DENOTES CATHODE
Symbol
Parameter
Value
Units
4001
4002
4003
4004
4005 4006 4007
VRRM
Peak Repetitive Reverse Voltage
50
100
200
400
600
800
1000
V
IF(AV)
Average Rectified Forward Current,
.375 " lead length @ TA = 75°C
1.0
A
I
FSM
Non-repetitive Peak Forward Surge
Current
8.3 ms Single Half-Sine-Wave
30
A
T
stg
Storage Temperature Range
-55 to +175
°C
TJ
Operating Junction Temperature
-55 to +175
°C
Symbol
Parameter
Value
Units
P
D
Power Dissipation
3.0
W
RθJA
Thermal Resistance, Junction to Ambient
50
°C/W
Thermal Characteristics
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1N4001G-13 | 1 A, 50 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 |
| 1N4002G-13 | 1 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 |
| 1N4003G-13 | 1 A, 200 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 |
| 1N4005G-13 | 1 A, 600 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 |
| 1N4001GH02 | 1 A, 50 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 1N4007TA | 功能描述:DIODE GEN PURP 1KV 1A DO41 制造商:smc diode solutions 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:有效 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:1000V（1kV） 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1V @ 1A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 1000V 不同?Vr，F 時的電容:15pF @ 4V，1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向 供應商器件封裝:DO-41 工作溫度 - 結:-65°C ~ 125°C 標準包裝:1 |
| 1N4007T-G | 功能描述:整流器 1A 1000V Rectifier Diode RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復時間:1.2 us 正向連續電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel |
| 1N4007TP | 制造商:Micro Commercial Components (MCC) 功能描述:Diode Switching 1KV 1A 2-Pin DO-41 T/R |
| 1N4007-TP | 功能描述:整流器 Vr/1000V Io/1A RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復時間:1.2 us 正向連續電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel |
| 1N4007TR | 制造商:Surge Components Inc 功能描述: |
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