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參數資料
型號: 1N4149VE
元件分類: 二極管(射頻、小信號、開關、功率)
英文描述: 0.15 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35
文件頁數: 1/1頁
文件大小: 76K
代理商: 1N4149VE
相關PDF資料
PDF描述
1N4149VG 0.15 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35
1N4149VH 0.15 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35
1N4149VM 0.15 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35
1N4150FV 0.2 A, 50 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35
1N4150HL 0.2 A, 50 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35
相關代理商/技術參數
參數描述
1N4150 功能描述:二極管 - 通用,功率,開關 Vr/50V Io/200mA BULK RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 產品:Switching Diodes 峰值反向電壓:600 V 正向連續電流:200 A 最大浪涌電流:800 A 配置: 恢復時間:2000 ns 正向電壓下降:1.25 V 最大反向漏泄電流:300 uA 最大功率耗散: 工作溫度范圍: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:ISOTOP 封裝:Tube
1N4150 _AY _10001 制造商:PanJit Touch Screens 功能描述:
1N4150 TR 功能描述:DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):50V 電流 - 平均整流(Io):200mA 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1V @ 200mA 速度:小信號 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢復時間(trr):6ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 50V 不同?Vr,F 時的電容:2.5pF @ 0V,1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 工作溫度 - 結:-65°C ~ 200°C 標準包裝:1
1N4150 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:SILICON DIODES 300MA
1N4150 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:DIODES SMALL SIGNAL ROHS COMPLIANT:NO
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