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參數(shù)資料
型號(hào): 1N4151HJ
元件分類(lèi): 二極管(射頻、小信號(hào)、開(kāi)關(guān)、功率)
英文描述: 0.15 A, 75 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35
文件頁(yè)數(shù): 1/1頁(yè)
文件大?。?/td> 76K
代理商: 1N4151HJ
相關(guān)PDF資料
PDF描述
1N4154T-12A 0.15 A, 35 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35
1S2472T-11A 0.12 A, 55 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35
1SS130T-13 0.13 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-34
1SS130T-90 0.13 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-34
1SS139 0.13 A, 90 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
1N4151-T 功能描述:二極管 - 通用,功率,開(kāi)關(guān) Vr/75V Io/150mA T/R RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品:Switching Diodes 峰值反向電壓:600 V 正向連續(xù)電流:200 A 最大浪涌電流:800 A 配置: 恢復(fù)時(shí)間:2000 ns 正向電壓下降:1.25 V 最大反向漏泄電流:300 uA 最大功率耗散: 工作溫度范圍: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:ISOTOP 封裝:Tube
1N4151TAP 功能描述:二極管 - 通用,功率,開(kāi)關(guān) Vr/75V Io/150mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品:Switching Diodes 峰值反向電壓:600 V 正向連續(xù)電流:200 A 最大浪涌電流:800 A 配置: 恢復(fù)時(shí)間:2000 ns 正向電壓下降:1.25 V 最大反向漏泄電流:300 uA 最大功率耗散: 工作溫度范圍: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:ISOTOP 封裝:Tube
1N4151-TAP 制造商:Vishay 功能描述:Diode Small Signal Switching 75V 0.15A 2-Pin DO-35 Ammo
1N4151-TAP 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:Small Signal Diode
1N4151-TP 制造商:Micro Commercial Components (MCC) 功能描述:Diode Switching 75V 0.15A 2-Pin DO-35 T/R
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