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參數(shù)資料
| 型號： | 1N4151W-T3 |
| 廠商： | Won-Top Electronics Co., Ltd. |
| 英文描述： | SURFACE MOUNT FAST SWITCHING DIODE |
| 中文描述： | 表面貼裝快速開關(guān)二極管 |
| 文件頁數(shù)： | 1/1頁 |
| 文件大小： | 11K |
| 代理商： | 1N4151W-T3 |
RECTRON USA
1315 John Reed Court, Industry, CA 91745
Tel: (626) 333-3802 Fax: (626) 330-6296
www.rectron.com
SEMICONDUCTOR
TECHNICAL SPECIFICATION
1N4151
RECTRON
1N4151 SIGNAL DIODE
Absolute Maximum Ratings (Ta=25
°
C)
Items
Reverse Voltage
Reverse Recovery
Time
Power Dissipation
3.33mW/
°
C (25
°
C)
Forward Current
Junction Temp.
Storage Temp.
Symbol
VR
trr
Ratings
50
2
Unit
V
ns
P
500
mW
IF
Tj
300
mA
°
C
°
C
-65 to 175
-65 to 175
Tstg
Mechanical Data
Items
Package
Case
Lead/Finish
Chip
Materials
DO-35
Hermetically sealed glass
Double stud/Solder Plating
Glass Passivated
Dimensions (DO-35
)
DO-35
0.457
0.559
2.0
max.
4.2
max.
26 MIN
26 MIN
Dimensions in millimeters
DIA.
DIA.
Electrical Characteristics (Ta=25
°
C)
Ratings
Breakdown Voltage
IR= 5.0uA
Peak Forward Surge Current PW= 1sec.
Maximum Forward Voltage
IF= 50mA
Maximum Reverse Current
VR= 50V
VR= 20V, Tj= 150
°
C
Maximum Junction Capacitance
VR= 0, f= 1 MHz
Max Reverse Recovery Time
IF= 10mA, VR= 6V, IRR= 1mA, RL= 100
Symbol
BV
Ratings
Unit
V
75
1.0
IFsurge
VF
A
V
1.0
IR
0.050
50
uA
Cj
2
pF
trr
2
ns
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1N4151 | TECHNICAL SPECIFICATIONS OF HIGH SPEED SWITCHING DIODES |
| 1N4151 | SMALL SIGNAL DIODES |
| 1N4158B | Low Current Operation at 250 ，Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode |
| 1N4159B | Low Current Operation at 250 ，Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode |
| 1N4160B | Low Current Operation at 250 ，Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 1N4151W-V-G-08 | 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:SWITCHING DIODE GENPURP SOD123-E3-G |
| 1N4151W-V-G-18 | 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:SWITCHING DIODE GENPURP SOD123-E3-G |
| 1N4151W-V-GS08 | 功能描述:二極管 - 通用，功率，開關(guān) Vr/75V Io/150mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品:Switching Diodes 峰值反向電壓:600 V 正向連續(xù)電流:200 A 最大浪涌電流:800 A 配置: 恢復(fù)時間:2000 ns 正向電壓下降:1.25 V 最大反向漏泄電流:300 uA 最大功率耗散: 工作溫度范圍: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:ISOTOP 封裝:Tube |
| 1N4151W-V-GS18 | 功能描述:二極管 - 通用，功率，開關(guān) 75 Volt 500mA 2ns RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品:Switching Diodes 峰值反向電壓:600 V 正向連續(xù)電流:200 A 最大浪涌電流:800 A 配置: 恢復(fù)時間:2000 ns 正向電壓下降:1.25 V 最大反向漏泄電流:300 uA 最大功率耗散: 工作溫度范圍: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:ISOTOP 封裝:Tube |
| 1N4152 | 功能描述:二極管 - 通用，功率，開關(guān) Vr/40V Io/150mA BULK RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品:Switching Diodes 峰值反向電壓:600 V 正向連續(xù)電流:200 A 最大浪涌電流:800 A 配置: 恢復(fù)時間:2000 ns 正向電壓下降:1.25 V 最大反向漏泄電流:300 uA 最大功率耗散: 工作溫度范圍: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:ISOTOP 封裝:Tube |
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