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參數資料
型號: 1N4447VE
元件分類: 二極管(射頻、小信號、開關、功率)
英文描述: 0.15 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE
文件頁數: 1/2頁
文件大小: 176K
代理商: 1N4447VE
相關PDF資料
PDF描述
1N916AFV 0.15 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE
1N916AHC 0.15 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE
1N916AVC 0.15 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE
1N916AVG 0.15 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE
1N4449FV 0.15 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE
相關代理商/技術參數
參數描述
1N4448 功能描述:二極管 - 通用,功率,開關 Hi Conductance Fast RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 產品:Switching Diodes 峰值反向電壓:600 V 正向連續電流:200 A 最大浪涌電流:800 A 配置: 恢復時間:2000 ns 正向電壓下降:1.25 V 最大反向漏泄電流:300 uA 最大功率耗散: 工作溫度范圍: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:ISOTOP 封裝:Tube
1N4448 _AY _10001 制造商:PanJit Touch Screens 功能描述:
1N4448 A0G 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 150MA DO35 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶盒(TB) 零件狀態:在售 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):100V 電流 - 平均整流(Io):150mA 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:720mV @ 5mA 速度:小信號 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢復時間(trr):4ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 75V 不同?Vr,F 時的電容:4pF @ 0V,1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 工作溫度 - 結:-65°C ~ 150°C 標準包裝:5,000
1N4448 R0 制造商:Taiwan Semiconductor 功能描述:
1N4448 TR 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 150MA DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):100V 電流 - 平均整流(Io):150mA 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1V @ 100mA 速度:小信號 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢復時間(trr):4ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:25nA @ 20V 不同?Vr,F 時的電容:4pF @ 0V,1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 工作溫度 - 結:-65°C ~ 200°C 標準包裝:1
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