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參數資料
| 型號： | 1N4448 |
| 廠商： | GENERAL SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分類： | 二極管(射頻、小信號、開關、功率) |
| 英文描述： | 0.15 A, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AH |
| 封裝： | GLASS, DO-35, 2 PIN |
| 文件頁數： | 1/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 166K |
| 代理商： | 1N4448 |
8/4/00
1N4448
Small-Signal Diode
Reverse Voltage 100V
Forward Current 150mA
Features
Silicon Epitaxial Planar Diode
Fast switching diode.
This diode is also available in other case styles
including the SOD-123 case with the type
designation 1N4448W, the MiniMELF case with the
type designation LL4448, and the SOT-23 case
with the type designation IMBD4448.
Mechanical Data
Case: DO-35 Glass Case
Weight: approx. 0.13g
Packaging Codes/Options:
F2/10K per Ammo tape (52mm tape), 50K/box
F3/10K per 13” reel (52mm tape), 50K/box
Maximum Ratings and Thermal Characteristics (TA = 25°C unless otherwise noted)
Parameter
Symbol
Limit
Unit
Reverse Voltage
VR
75
V
Peak Reverse Voltage
VRM
100
V
Average Rectified Current
Half Wave Rectification with Resistive Load
IF(AV)
150
mA
at Tamb = 25°C and f
≥ 50Hz(1)
Surge Forward Current at t < 1s and Tj = 25°C
IFSM
500
mA
Power Dissipation at Tamb = 25°C
(1)
Ptot
500
mW
Thermal Resistance Junction to Ambient Air(1)
R
θJA
350
°C/W
Junction Temperature
Tj
175
°C
Storage Temperature
TS
–65 to +175
°C
Note:
(1) Valid provided that leads at a distance of 8mm from case are kept at ambient temperature
DO-204AH (DO-35 Glass)
Dimensions in inches and (millimeters)
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PDF描述 |
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