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參數資料
| 型號： | 1N4448 |
| 廠商： | GE Security, Inc. |
| 英文描述： | Small Signal Diodes(小信號二極管) |
| 中文描述： | 小信號二極管（小信號二極管） |
| 文件頁數： | 1/4頁 |
| 文件大小： | 144K |
| 代理商： | 1N4448 |
FEATURES
Small Signal Diodes
MECHANICAL DATA
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25 °C
ambient temperature unless otherwise specified
DO-35
m
m
m
max.
Cathode
Mark
.020 (0.52)
max.
.079 (2.0)
Dimensions in inches and (millimeters)
Case:
DO-35 Glass Case
Weight:
approx. 0.13 g
4/98
1N4448
Symbol
Value
Unit
Reverse Voltage
V
R
75
V
Peak Reverse Voltage
V
RM
100
V
Rectified Current (Average)
Half Wave Rectification with Resist. Load
at T
amb
= 25 °C and f
≥
50 Hz
I
0
150
1)
mA
Surge Forward Current at t < 1 s and T
j
= 25 °C
I
FSM
500
mA
Power Dissipation at T
amb
= 25 °C
P
tot
500
1)
mW
Junction Temperature
T
j
175
°C
Storage Temperature Range
T
S
–65 to +175
°C
1)
Valid provided that leads at a distance of 8 mm from case are kept at ambient temperature.
Silicon Epitaxial Planar Diode
Fast switching diode.
This diode is also available in other
case styles including: the SOD-123
case
with
the
1N4448W, the MiniMELF case with the
type designation LL4448, and the SOT23
case with the type designation IMBD4448.
type
designation
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PDF描述 |
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參數描述 |
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