- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄70179 > 1N4448 SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35 PDF資料下載
參數資料
| 型號： | 1N4448 |
| 元件分類： | 二極管(射頻、小信號、開關、功率) |
| 英文描述： | SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35 |
| 文件頁數： | 1/1頁 |
| 文件大?。?/td> | 82K |
| 代理商： | 1N4448 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1N4449 | SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35 |
| 1N3595 | 0.15 A, 150 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35 |
| 1N825A | 6.2 V, SILICON, VOLTAGE REFERENCE DIODE, DO-35 |
| 1N827A | 6.2 V, SILICON, VOLTAGE REFERENCE DIODE, DO-35 |
| 1N5817H02-2 | 1 A, 20 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 1N4448 _AY _10001 | 制造商:PanJit Touch Screens 功能描述: |
| 1N4448 A0G | 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 150MA DO35 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶盒（TB） 零件狀態:在售 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 電流 - 平均整流（Io）:150mA 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:720mV @ 5mA 速度:小信號 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢復時間（trr）:4ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 75V 不同?Vr，F 時的電容:4pF @ 0V，1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應商器件封裝:DO-35 工作溫度 - 結:-65°C ~ 150°C 標準包裝:5,000 |
| 1N4448 R0 | 制造商:Taiwan Semiconductor 功能描述: |
| 1N4448 TR | 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 150MA DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:有效 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 電流 - 平均整流（Io）:150mA 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1V @ 100mA 速度:小信號 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢復時間（trr）:4ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:25nA @ 20V 不同?Vr，F 時的電容:4pF @ 0V，1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應商器件封裝:DO-35 工作溫度 - 結:-65°C ~ 200°C 標準包裝:1 |
| 1N4448,113 | 功能描述:二極管 - 通用，功率，開關 HI SPEED DO-35 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 產品:Switching Diodes 峰值反向電壓:600 V 正向連續電流:200 A 最大浪涌電流:800 A 配置: 恢復時間:2000 ns 正向電壓下降:1.25 V 最大反向漏泄電流:300 uA 最大功率耗散: 工作溫度范圍: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:ISOTOP 封裝:Tube |
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。