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參數(shù)資料
型號(hào): 1N4448A0
元件分類(lèi): 二極管(射頻、小信號(hào)、開(kāi)關(guān)、功率)
英文描述: 0.15 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35
封裝: ROHS COMPLIANT, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2
文件頁(yè)數(shù): 3/3頁(yè)
文件大小: 222K
代理商: 1N4448A0
1N4148/1N4448/1N914B
500mW High Speed Switching Diode
Small Signal Diode
Rating and Characteristic Curves
FIG 1 Typical Forward Characteristics
0.001
0.01
0.1
1
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
F
o
rward
Current
(A)
FIG 3 Admissible Power Dissipation Curve
0
100
200
300
400
500
0
25
50
75
100
125
150
175
200
Power
Dissipat
ion
(mW
)
FIG 4 Typical Junction Capacitance
0
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
0
5
10
15
20
25
30
Junct
ion
Capacit
ance
(pF
)
Ambient Temperature (°C)
Reverse Voltage (V)
Forward Voltage (V)
FIG 2 Reverse Current vs Reverse Voltage
0.01
0.1
1
10
100
0
20
40
60
80
100
120
Reverse
Current
(uA)
Reverse Voltage (V)
Ta=25°C
f=1.0 MHz
Version : D10
相關(guān)PDF資料
PDF描述
1N4448T50R 0.2 A, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35
1N914T50A 0.2 A, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35
1N914AT26A 0.2 A, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35
1N914AT26R 0.2 A, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35
1N914BT26A 0.2 A, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
1N4448-B 功能描述:二極管 - 通用,功率,開(kāi)關(guān) Vr/75V If/500mA BULK RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品:Switching Diodes 峰值反向電壓:600 V 正向連續(xù)電流:200 A 最大浪涌電流:800 A 配置: 恢復(fù)時(shí)間:2000 ns 正向電壓下降:1.25 V 最大反向漏泄電流:300 uA 最大功率耗散: 工作溫度范圍: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:ISOTOP 封裝:Tube
1N4448F 制造商:- - 功能描述:1N4448F 制造商:N/A 功能描述:1N4448F
1N4448HLP 制造商:DIODES 制造商全稱:Diodes Incorporated 功能描述:SURFACE MOUNT FAST SWITCHING DIODE
1N4448HLP_08 制造商:DIODES 制造商全稱:Diodes Incorporated 功能描述:SURFACE MOUNT FAST SWITCHING DIODE
1N4448HLP_12 制造商:DIODES 制造商全稱:Diodes Incorporated 功能描述:SURFACE MOUNT FAST SWITCHING DIODE
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