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參數資料
| 型號： | 1N4448T-12 |
| 元件分類： | 二極管(射頻、小信號、開關、功率) |
| 英文描述： | 0.15 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35 |
| 文件頁數： | 4/5頁 |
| 文件大小： | 141K |
| 代理商： | 1N4448T-12 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1N4448T-83 | 0.15 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35 |
| 1N4448T-84 | 0.15 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35 |
| 1N4448T11A | 0.15 A, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35 |
| 1N4606T-85 | 0.2 A, 85 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35 |
| 1N914T-12A | 0.15 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 1N4448T-72 | 功能描述:二極管 - 通用，功率，開關 SWITCH 150MA 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 產品:Switching Diodes 峰值反向電壓:600 V 正向連續電流:200 A 最大浪涌電流:800 A 配置: 恢復時間:2000 ns 正向電壓下降:1.25 V 最大反向漏泄電流:300 uA 最大功率耗散: 工作溫度范圍: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:ISOTOP 封裝:Tube |
| 1N4448T-77 | 功能描述:二極管 - 通用，功率，開關 SWITCHING 26mm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 產品:Switching Diodes 峰值反向電壓:600 V 正向連續電流:200 A 最大浪涌電流:800 A 配置: 恢復時間:2000 ns 正向電壓下降:1.25 V 最大反向漏泄電流:300 uA 最大功率耗散: 工作溫度范圍: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:ISOTOP 封裝:Tube |
| 1N4448TAP | 功能描述:二極管 - 通用，功率，開關 Vr/75V Io/150mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 產品:Switching Diodes 峰值反向電壓:600 V 正向連續電流:200 A 最大浪涌電流:800 A 配置: 恢復時間:2000 ns 正向電壓下降:1.25 V 最大反向漏泄電流:300 uA 最大功率耗散: 工作溫度范圍: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:ISOTOP 封裝:Tube |
| 1N4448-TAP | 功能描述:二極管 - 通用，功率，開關 Vr/75V Io/150mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 產品:Switching Diodes 峰值反向電壓:600 V 正向連續電流:200 A 最大浪涌電流:800 A 配置: 恢復時間:2000 ns 正向電壓下降:1.25 V 最大反向漏泄電流:300 uA 最大功率耗散: 工作溫度范圍: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:ISOTOP 封裝:Tube |
| 1N4448-TP | 功能描述:二極管 - 通用，功率，開關 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 產品:Switching Diodes 峰值反向電壓:600 V 正向連續電流:200 A 最大浪涌電流:800 A 配置: 恢復時間:2000 ns 正向電壓下降:1.25 V 最大反向漏泄電流:300 uA 最大功率耗散: 工作溫度范圍: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:ISOTOP 封裝:Tube |
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