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參數資料
型號: 1N4678
廠商: Vishay Intertechnology,Inc.
元件分類: 參考電壓二極管
英文描述: Silicon Epitaxial Planar Z-Diodes
中文描述: 硅外延平面的Z -二極管
文件頁數: 1/2頁
文件大小: 116K
代理商: 1N4678
22 COREY STREET, MELROSE, MASSACHUSETTS 02176
PHONE (781) 665-1071
FAX (781) 665-7379
WEBSITE: http://www.cdi-diodes.com
E-mail: mail@cdi-diodes.com
50
A, LOW OPERATING CURRENT, ZENER DIODES
DOUBLE PLUG CONSTRUCTION
METALLURGICALLY BONDED
1N4678
thru
1N4717
CDI
NOMINAL
ZENER
MAXIMUM
MAXIMUM REVERSE
MAXIMUM
TYPE
ZENER
TEST
VOLTAGE
LEAKAGE
DC ZENER
NUMBER
VOLTAGE
CURRENT
REGULATION
CURRENT
VZ
lZT
VZ
lR @ VR
lZM
(Note 1)
(Note 2)
VOLTS
A
VOLTS
A
VOLTS
mA
1N4678
1.8
50
0.70
7.5
1.0
120.0
1N4679
2.0
50
0.70
5.0
1.0
110.0
1N4680
2.2
50
0.75
4.0
1.0
100.0
1N4681
2.4
50
0.80
2.0
1.0
95.0
1N4682
2.7
50
0.85
1.0
90.0
1N4683
3.0
50
0.90
0.8
1.0
85.0
1N4684
3.3
50
0.95
7.5
1.5
80.0
1N4685
3.6
50
0.95
7.5
2.0
75.0
1N4686
3.9
50
0.97
5.0
2.0
70.0
1N4687
4.3
50
0.99
4.0
2.0
65.0
1N4688
4.7
50
0.99
10.0
3.0
60.0
1N4689
5.1
50
0.97
10.0
3.0
55.0
1N4690
5.6
50
0.96
10.0
4.0
50.0
1N4691
6.2
50
0.95
10.0
5.0
45.0
1N4692
6.8
50
0.90
10.0
5.1
35.0
1N4693
7.5
50
0.75
10.0
5.7
31.8
1N4694
8.2
50
0.50
1.0
6.2
29.0
1N4695
8.7
50
0.10
1.0
6.6
27.4
1N4696
9.1
50
0.08
1.0
6.9
26.2
1N4697
10.0
50
0.10
1.0
7.6
24.8
1N4698
11.0
50
0.11
0.05
8.4
21.6
1N4699
12.0
50
0.12
0.05
9.1
20.4
1N4700
13.0
50
0.13
0.05
9.8
19.0
1N4701
14.0
50
0.14
0.05
10.6
17.5
1N4702
15.0
50
0.15
0.05
11.4
16.3
1N4703
16.0
50
0.16
0.05
12.1
15.4
1N4704
17.0
50
0.17
0.05
12.9
14.5
1N4705
18.0
50
0.18
0.05
13.6
13.2
1N4706
19.0
50
0.19
0.05
14.4
12.5
1N4707
20.0
50
0.20
0.01
15.2
11.9
1N4708
22.0
50
0.22
0.01
16.7
10.8
1N4709
24.0
50
0.24
0.01
18.2
9.9
1N4710
25.0
50
0.25
0.01
19.0
9.5
1N4711
27.0
50
0.27
0.01
20.4
8.8
1N4712
28.0
50
0.28
0.01
21.2
8.5
1N4713
30.0
50
0.30
0.01
22.8
7.9
1N4714
33.0
50
0.33
0.01
25.0
7.2
1N4715
36.0
50
0.36
0.01
27.3
6.6
1N4716
39.0
50
0.39
0.01
29.6
6.1
1N4717
43.0
50
0.43
0.01
32.6
5.5
NOTE 1
The JEDEC type numbers shown above have a standard tolerence of +5% of the
nominal Zener volume. VZ is measured with the diode in thermal equilibrium at
25°C + 3°C.
NOTE 2
Vz @ 100
A minus Vz @ 10 A.
MAXIMUM RATINGS
Operating Temperature: -65°C to +175°C
Storage Temperature: -65°C to +175°C
Power Dissipation: 500mW @ +50°C
DC Power Derating: 4 mW / °C above +50°C
Forward Voltage: 1.1 Volts maximum @ 200 mA
ELECTRICAL CHARACTERISTICS @ 25°C, unless otherwise specied.
DESIGN DATA
CASE: Hermetically sealed glass
case. DO – 35 outline.
LEAD MATERIAL: Copper clad steel.
LEAD FINISH: Tin / Lead
THERMAL RESISTANCE: (ROJEC):
250 C/W maximum at L = .375 inch
THERMAL IMPEDANCE: (ZOJX): 35
C/W maximum
POLARITY: Diode to be operated with
the banded (cathode) end positive.
MOUNTING POSITION: ANY.
FIGURE 1
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PDF描述
1N4679 Silicon Epitaxial Planar Z-Diodes
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1N4678 TR 功能描述:DIODE ZENER 1.8V 500MW DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:在售 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):1.8V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:7.5μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:1.5V @ 100mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:10,000
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