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參數資料
| 型號： | 1N4712 |
| 廠商： | Vishay Intertechnology,Inc. |
| 英文描述： | Silicon Epitaxial Planar Z-Diodes |
| 中文描述： | 硅外延平面的Z -二極管 |
| 文件頁數： | 1/1頁 |
| 文件大小： | 36K |
| 代理商： | 1N4712 |
P.O. BOX 609
ROCKPORT, MAINE 04856 207-236-6076 FAX 207-236-9558
LOW LEVEL ZENER DIODES
ULTRA-LOW CURRENT: 50 A - LOW LEAKAGE
1N4678 - 1N4714
NOM ZENER
MAX REVERSE
MAX REGULATION
MAX REGULATOR
PART
VOLTAGE
LEAKAGE CURRENT
FACTOR 100 Adc
CURRENT Izm
NUMBER
Vz @ 50 A
Ir
@
Vr
TO 10 Adc
(VOLTS)
(Adc)
(Vdc)
Vz (VOLTS)
(mAdc)
1N4678
1.8
7.5
1.0
0.70
120.0
1N4679
2.0
5.0
1.0
0.70
110.0
1N4680
2.2
4.0
1.0
0.75
100.0
1N4681
2.4
2.0
1.0
0.80
95.0
1N4682
2.7
1.0
0.85
90.0
1N4683
3.0
0.8
1.0
0.90
85.0
1N4684
3.3
7.5
1.5
0.95
80.0
1N4685
3.6
7.5
2.0
0.95
75.0
1N4686
3.9
5.0
2.0
0.97
70.0
1N4687
4.3
4.0
2.0
0.99
65.0
1N4688
4.7
10.0
3.0
0.99
60.0
1N4689
5.1
10.0
3.0
0.97
55.0
1N4690
5.6
10.0
4.0
0.96
50.0
1N4691
6.2
10.0
5.0
0.95
45.0
1N4692
6.8
10.0
5.1
0.90
35.0
1N4693
7.5
10.0
5.7
0.75
31.8
1N4694
8.2
1.0
6.2
0.50
29.0
1N4695
8.7
1.0
6.6
0.10
27.4
1N4696
9.1
1.0
6.9
0.08
26.2
1N4697
10.0
1.0
7.6
0.10
24.8
1N4698
11.0
0.05
8.4
0.11
21.6
1N4699
12.0
0.05
9.1
0.12
20.4
1N4700
13.0
0.05
9.8
0.13
19.0
1N4701
14.0
0.05
10.6
0.14
17.5
1N4702
15.0
0.05
11.4
0.15
16.3
1N4703
16.0
0.05
12.1
0.16
15.4
1N4704
17.0
0.05
12.9
0.17
14.5
1N4705
18.0
0.05
13.6
0.18
13.2
1N4706
19.0
0.05
14.4
0.19
12.5
1N4707
20.0
0.01
15.2
0.20
11.9
1N4708
22.0
0.01
16.7
0.22
10.8
1N4709
24.0
0.01
18.2
0.24
9.9
1N4710
25.0
0.01
19.0
0.25
9.5
1N4711
27.0
0.01
20.4
0.27
8.8
1N4712
28.0
0.01
21.2
0.28
8.5
1N4713
30.0
0.01
22.8
0.30
7.9
1N4714
33.0
0.01
25.0
0.33
7.2
Package Style
DO-7
Vz tolerance: ± 5%.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1N4713 | PC 5/ 6-GFU-7,62 |
| 1N4714 | MKKDSG 3/ 2 |
| 1N4740A | Silicon Power Z-Diodes |
| 1N4760A | Silicon Power Z-Diodes |
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
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| 1N4712 BK | 功能描述:DIODE ZENER 28V 500MW DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:在售 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:28V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10nA @ 21.2V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1.5V @ 100mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:2,500 |
| 1N4712 TR | 功能描述:DIODE ZENER 28V 500MW DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態:在售 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:28V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10nA @ 21.2V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1.5V @ 100mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:10,000 |
| 1N4712(DO35) | 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:Zener Voltage Regulator Diode |
| 1N4712C | 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:Silicon 250mW Zener Diodes |
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