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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 1N4757A |
| 廠商： | Vishay Intertechnology,Inc. |
| 英文描述： | Silicon Power Z-Diode for Voltage Stabilization(穩(wěn)定電壓51V，穩(wěn)定電流5.0mA的硅功率齊納二極管) |
| 中文描述： | 硅功率Z -二極管的電壓穩(wěn)定（穩(wěn)定電壓51V，穩(wěn)定電流五點(diǎn)○毫安的硅功率齊納二極管） |
| 文件頁數(shù)： | 1/4頁 |
| 文件大小： | 40K |
| 代理商： | 1N4757A |
1N4728A...1N4761A
Vishay Telefunken
Rev. 2, 01-Apr-99
1 (4)
www.vishay.de
FaxBack +1-408-970-5600
Document Number 85587
Silicon Power Z–Diodes
Features
Very sharp reverse characteristic
Very high stability
Low reverse current level
V
Z
–tolerance
±
5%
Applications
Voltage stabilization
94 9369
Absolute Maximum Ratings
T
j
= 25 C
Parameter
Power dissipation
Z–current
Junction temperature
Storage temperature range
Test Conditions
50 C
Type
Symbol
P
V
I
Z
T
j
T
stg
Value
1
P
V
/V
Z
200
–65...+200
Unit
W
mA
C
C
T
amb
Maximum Thermal Resistance
T
j
= 25 C
Parameter
Junction ambient
Test Conditions
Symbol
R
thJA
Value
100
Unit
K/W
l=9.5mm (3/8”), T
L
=constant
Electrical Characteristics
T
j
= 25 C
Parameter
Forward voltage
Test Conditions
I
F
=200mA
Type
Symbol
V
F
Min
Typ
Max
1.2
Unit
V
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PDF描述 |
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