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參數資料
| 型號： | 1N4934GP |
| 元件分類： | 二極管(射頻、小信號、開關、功率) |
| 英文描述： | 1 A, SILICON, SIGNAL DIODE |
| 封裝： | DO-41, 2 PIN |
| 文件頁數： | 1/1頁 |
| 文件大小： | 43K |
| 代理商： | 1N4934GP |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1N4933 | 1 A, 50 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 |
| 1N4934 | 1 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 |
| 1N4936 | 1 A, 400 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 |
| 1N5617 | 1 A, 400 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
| 1N4933 | 1 A, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 1N4934GP/1 | 功能描述:二極管 - 通用，功率，開關 100 Volt 1.0A 200ns Glass Passivated RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 產品:Switching Diodes 峰值反向電壓:600 V 正向連續電流:200 A 最大浪涌電流:800 A 配置: 恢復時間:2000 ns 正向電壓下降:1.25 V 最大反向漏泄電流:300 uA 最大功率耗散: 工作溫度范圍: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:ISOTOP 封裝:Tube |
| 1N4934GP/23 | 功能描述:二極管 - 通用，功率，開關 1.0 Amp 100 Volt Glass Passivated RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 產品:Switching Diodes 峰值反向電壓:600 V 正向連續電流:200 A 最大浪涌電流:800 A 配置: 恢復時間:2000 ns 正向電壓下降:1.25 V 最大反向漏泄電流:300 uA 最大功率耗散: 工作溫度范圍: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:ISOTOP 封裝:Tube |
| 1N4934GP/4 | 功能描述:二極管 - 通用，功率，開關 1.0 Amp 100 Volt Glass Passivated RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 產品:Switching Diodes 峰值反向電壓:600 V 正向連續電流:200 A 最大浪涌電流:800 A 配置: 恢復時間:2000 ns 正向電壓下降:1.25 V 最大反向漏泄電流:300 uA 最大功率耗散: 工作溫度范圍: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:ISOTOP 封裝:Tube |
| 1N4934GP/54 | 功能描述:二極管 - 通用，功率，開關 Vr/100V Io/1A BULK GLASS PASSIVATED RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 產品:Switching Diodes 峰值反向電壓:600 V 正向連續電流:200 A 最大浪涌電流:800 A 配置: 恢復時間:2000 ns 正向電壓下降:1.25 V 最大反向漏泄電流:300 uA 最大功率耗散: 工作溫度范圍: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:ISOTOP 封裝:Tube |
| 1N4934GPE/54 | 功能描述:二極管 - 通用，功率，開關 1.0 Amp 100 Volt Glass Passivated RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 產品:Switching Diodes 峰值反向電壓:600 V 正向連續電流:200 A 最大浪涌電流:800 A 配置: 恢復時間:2000 ns 正向電壓下降:1.25 V 最大反向漏泄電流:300 uA 最大功率耗散: 工作溫度范圍: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:ISOTOP 封裝:Tube |
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