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參數資料
| 型號： | 1N4935G |
| 廠商： | 樂山無線電股份有限公司 |
| 英文描述： | FAST GPP DIODES |
| 中文描述： | 快速玻璃鈍化二極管 |
| 文件頁數： | 1/2頁 |
| 文件大?。?/td> | 168K |
| 代理商： | 1N4935G |
Notes:
(1) Reverse recovery test conditions: I
F=1.0A, VR=30 volts
(2) Measured at 1.0MHz and applied reverse voltage of 4.0 volts
(3) Thermal resistance from junction to ambient at 0.375 (9.5mm) lead length, P.C.B. mounted
Symbols
1N
4933G
1N
4934G
1N
4935G
1N
4936G
1N
4937G
Units
Maximum repetitive peak reverse voltage
V
RRM
50
100
200
400
600
Volts
Maximum RMS voltage
V
RMS
35
70
140
280
420
Volts
Maximum DC blocking voltage
V
DC
50
100
200
400
600
Volts
Maximum average forward rectified current
0.375" (9.5mm) lead length at T
A=75
I
(AV)
1.0
Amp
Peak forward surge current
8.3mS single half sine-wave superimposed
on rated load (MIL-STD-750D 4066 method)
I
FSM
30.0
Amps
Maximum instantaneous forward voltage at 1.0A
V
F
1.20
Volts
Maximum DC reverse current
T
A=25
at rated DC blocking voltage
T
A=125
I
R
5.0
100.0
A
Maximum reverse recovery time (Note 1)
T
rr
200.0
nS
Typical junction capacitance (Note 2)
C
J
15.0
F
Typical thermal resistance (Note 3)
R
JA
55.0
/W
Operating junction and storage temperature range
T
J, TSTG
-65 to +175
Features
Mechanical Data
1N4933G THRU 1N4937G
GLASS PASSIVATED JUNCTION FAST SWITCHING RECTIFIER
Reverse Voltage - 50 to 600 Volts
Forward Current - 1.0 Ampere
Plastic package has Underwriters Laboratory
Flammability Classification 94V-0
High temperature metallurgically bonded construction
Capable of meeting environmental standards of
MIL-S-19500
For use in high frequency rectifier circuits
Fast switching for high efficiency
Glass passivated cavity-free junction
1.0 ampere operation at T
A=75
with no thermal runaway
Typical I
R less than 0.1
A
High temperature soldering guaranteed:
350 /10 seconds, 0.375 (9.5mm) lead length,
5 lbs. (2.3Kg) tension.
Case: DO-41 molded plastic over glass body
Terminals: Plated axial leads, solderable per
MIL-STD-750, method 2026
Polarity: Color band denotes cathode end
Mounting Position: Any
Weight: 0.012 ounce, 0.335 gram
Maximum Ratings and Electrical Characteristics
1
Ratings at 25 ambient temperature unless otherwise specified.
DIMENSIONS
DIM
inches
mm
Note
Min.
Max.
Min.
Max.
A
0.165
0.205
4.2
5.2
B
0.079
0.106
2.0
2.7
C
0.028
0.034
0.71
0.86
D
1.000
-
25.40
-
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1N4936G | FAST GPP DIODES |
| 1N5225B | FKCVW 2.5/5-STF |
| 1N5228B | Low Current Operation at 250??A???Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode(250??A?·￥?????μ?μ?????°????????????μ?μ?????????a?￡°???é???o3?o???????) |
| 1N5232B | Low Current Operation at 250??A???Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode(250??A?·￥?????μ?μ?????°????????????μ?μ?????????a?￡°???é???o3?o???????) |
| 1N5235B | Low Current Operation at 250??A???Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode(250??A?·￥?????μ?μ?????°????????????μ?μ?????????a?￡°???é???o3?o???????) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 1N4935G A0G | 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AL 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶盒（TB） 零件狀態:在售 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1.2V @ 1A 速度:快速恢復 = 200mA（Io） 反向恢復時間（trr）:200ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 200V 不同?Vr，F 時的電容:10pF @ 4V，1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向 供應商器件封裝:DO-204AL（DO-41） 工作溫度 - 結:-55°C ~ 150°C 標準包裝:3,000 |
| 1N4935G B0G | 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AL 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:在售 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1.2V @ 1A 速度:快速恢復 = 200mA（Io） 反向恢復時間（trr）:200ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 200V 不同?Vr，F 時的電容:10pF @ 4V，1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向 供應商器件封裝:DO-204AL（DO-41） 工作溫度 - 結:-55°C ~ 150°C 標準包裝:1,000 |
| 1N4935G R0 | 制造商:SKMI/Taiwan 功能描述:Diode Switching 200V 1A 2-Pin DO-41 T/R |
| 1N4935G R0G | 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AL 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態:在售 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1.2V @ 1A 速度:快速恢復 = 200mA（Io） 反向恢復時間（trr）:200ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 200V 不同?Vr，F 時的電容:10pF @ 4V，1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向 供應商器件封裝:DO-204AL（DO-41） 工作溫度 - 結:-55°C ~ 150°C 標準包裝:5,000 |
| 1N4935G R1G | 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AL 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態:在售 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1.2V @ 1A 速度:快速恢復 = 200mA（Io） 反向恢復時間（trr）:200ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 200V 不同?Vr，F 時的電容:10pF @ 4V，1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向 供應商器件封裝:DO-204AL（DO-41） 工作溫度 - 結:-55°C ~ 150°C 標準包裝:5,000 |
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