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參數(shù)資料
型號: 1N5230B
廠商: Hitachi,Ltd.
英文描述: Silicon Epitaxial Planar Zener Diodes for Voltage Regulation(用于穩(wěn)壓的平面外延齊納二極管)
中文描述: 硅外延平面穩(wěn)壓二極管的穩(wěn)壓(用于穩(wěn)壓的平面外延齊納二極管)
文件頁數(shù): 1/5頁
文件大?。?/td> 37K
代理商: 1N5230B
1N5223B through 1N5258B
Silicon Epitaxial Planar Zener Diodes for Voltage Regulation
ADE-208-137 (Z)
Preliminary, Rev. 0
Aug. 1993
Features
Glass package DO-35 structure ensures high reliability.
Wide spectrum from 2.7V through 36V of zener voltage provide flexible application.
Ordering Information
Type No.
Mark
Package Code
1N5223B through
1N5258B
Type No.
DO-35
Outline
1. Cathode
2. Anode
Cathode band
Type No.
1
2
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PDF描述
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1N5230B BK 功能描述:DIODE ZENER 4.7V 500MW DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):4.7V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):19 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 2V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:2,500
1N5230B TR 功能描述:DIODE ZENER 4.7V 500MW DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):4.7V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):19 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 2V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1
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