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參數(shù)資料
| 型號： | 1N5230C-35T/R |
| 元件分類： | 齊納二極管 |
| 英文描述： | 4.7 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35 |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, GLASS PACKAGE-2 |
| 文件頁數(shù)： | 3/3頁 |
| 文件大小： | 87K |
| 代理商： | 1N5230C-35T/R |
PAGE . 3
STAD-NOV.08.2006
Vz (V)
2.7
3.9
4.3
4.7 5.1 5.6
6.2
6.8
9.1
11
12
15
20
24
5
10
15
20
25
0
Iz
(mA)
10
20
30
40
50
30
FIG. 1 POWER DERATING CURVE
50
0
100
200
300
400
500
100
150
200
250
AMBIENT TEMPERATURE, C
O
POWER
D
ISSIP
A
TION,
m
W
a
tts
Fig.2 BREAKDOWN CHARACTERISTICS
Test Current
Iz=20mA
RATING AND CHARACTERISTIC CURVES
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 1N5230C-TAP | 功能描述:穩(wěn)壓二極管 4.7 Volt 0.5W 2% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel |
| 1N5230C-TR | 功能描述:穩(wěn)壓二極管 4.7 Volt 0.5W 2% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel |
| 1N5230TA | 功能描述:DIODE ZENER 4.7V 500MW DO35 制造商:smc diode solutions 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:4.7V 容差:- 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:19 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 1.9V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5,000 |
| 1N5230-TP | 制造商:MCC 制造商全稱:Micro Commercial Components 功能描述:500 mW Zener Diode 2.4 to 75 Volts |
| 1N5230UR | 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:500 mW GLASS SURFACE MOUNT ZENER DIODES |
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