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參數資料
| 型號： | 1N5231B |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 參考電壓二極管 |
| 英文描述： | Half Watt Zener(耗散功率為0.5瓦的齊納二極管) |
| 中文描述： | 5.1 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35 |
| 封裝： | GLASS PACKAGE-2 |
| 文件頁數： | 1/3頁 |
| 文件大小： | 23K |
| 代理商： | 1N5231B |
1
1N5226B - 1N5257B Series Half Watt Zeners
Device
V
Z
(V)
Z
Z
(
)
I
ZT
(mA)
Z
ZK
(
)
I
ZK
(mA)
V
R
(V)
I
R
(
μ
A)
T
C
(%/
°
C)
1N5226B
1N5227B
1N5228B
1N5229B
1N5230B
1N5231B
1N5232B
1N5233B
1N5234B
1N5235B
1N5236B
1N5237B
1N5238B
1N5239B
1N5240B
1N5241B
1N5242B
V
F
Foward Voltage = 1.1 V Maximum @ I
F
= 200 mA for all 1N5200 series
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.0
6.2
6.8
7.5
8.2
8.7
9.1
10
11
12
28
24
23
22
19
17
11
7.0
7.0
5.0
6.0
8.0
8.0
10
17
22
30
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
1,600
1,700
1,900
2,000
1,900
1,600
1,600
1,600
1,000
750
500
500
600
600
600
600
600
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
1.0
1.0
1.0
1.0
2.0
2.0
3.0
3.5
4.0
5.0
6.0
6.5
6.5
7.0
8.0
8.4
9.1
25
15
10
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
3.0
3.0
3.0
3.0
3.0
3.0
2.0
1.0
- 0.07
- 0.065
- 0.06
+/- 0.055
+/- 0.03
+/- 0.3
0.038
0.038
0.045
0.05
0.058
0.062
0.065
0.068
0.075
0.076
0.077
Absolute Maximum Ratings*
TA = 25°C unless otherwise noted
Tolerance: B = 5%
Electrical Characteristics
TA = 25°C unless otherwise noted
NOTES
:
1)
These ratings are based on a maximum junction temperature of 200 degrees C.
2)
These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed
or low duty cycle operations.
*
These ratings are limiting values above which the serviceability of the diode may be impaired.
**
Non-recurrent square wave PW= 8.3 ms, TA= 55 degrees C.
@
@
@
Parameter
Value
Units
Storage Temperature Range
Maximum Junction Operating Temperature
Lead Temperature (1/16” from case for 10 seconds)
Total Device Dissipation
Derate above 75
°
C
Surge Power**
-65 to +200
+ 200
+ 230
500
4.0
10
°
C
°
C
°
C
mW
mW/
°
C
W
NOTE:
National preferred devices in
BOLD
DO-35
1997 Fairchild Semiconductor Corporation
1N5200B Rev. A
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PDF描述 |
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| 1N5231C | Zener 1N5231C |
| 1N5231C | Low Current Operation at 250??A???Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode(250??A?·￥?????μ?μ?????°????????????μ?μ?????????a?￡°???é???o3?o???????) |
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參數描述 |
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| 1N5231B TR | 功能描述:DIODE ZENER 5.1V 500MW DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:有效 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:5.1V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:17 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 2V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 |
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