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參數(shù)資料
型號(hào): 1N5233B
廠商: Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述: Silicon Z-Diodes for Voltage Stabilization(穩(wěn)定電壓6.0V,穩(wěn)定電流20mA的硅齊納二極管)
中文描述: 硅的Z -二極管的穩(wěn)定電壓(6.0V的穩(wěn)定電壓,穩(wěn)定電流20mA的的硅齊納二極管)
文件頁(yè)數(shù): 1/4頁(yè)
文件大小: 47K
代理商: 1N5233B
1N5221B...1N5267B
Vishay Telefunken
Rev. 2, 06-Aug-99
1 (4)
www.vishay.de
FaxBack +1-408-970-5600
Document Number 85588
Silicon Z–Diodes
Features
Very sharp reverse characteristic
Very high stability
Low reverse current level
V
Z
–tolerance
±
5%
Applications
Voltage stabilization
94 9367
Absolute Maximum Ratings
T
j
= 25 C
Parameter
Power dissipation
Z–current
Junction temperature
Storage temperature range
Test Conditions
75 C
Type
Symbol
P
V
I
Z
T
j
T
stg
Value
500
P
V
/V
Z
200
–65...+200
Unit
mW
mA
C
C
T
L
Maximum Thermal Resistance
T
j
= 25 C
Parameter
Junction ambient
Test Conditions
Symbol
R
thJA
Value
300
Unit
K/W
l=9.5mm (3/8”), T
L
=constant
Electrical Characteristics
T
j
= 25 C
Parameter
Forward voltage
Test Conditions
I
F
=200mA
Type
Symbol
V
F
Min
Typ
Max
1.1
Unit
V
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PDF描述
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1N5233B A0G 功能描述:DIODE ZENER 6V 500MW DO35 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶盒(TB) 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納(標(biāo)稱值)(Vz):6V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):7 Ohms 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:5μA @ 3.5V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf:1.1V @ 200mA 工作溫度:100°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5,000
1N5233B BK 功能描述:DIODE ZENER 6V 500MW DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標(biāo)稱值)(Vz):6V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):7 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:5μA @ 3.5V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500
1N5233B TR 制造商:Central Semiconductor Corp 功能描述:Zener Diode
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