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參數(shù)資料
型號(hào): 1N5236B-13
廠商: DIODES INC
元件分類: 齊納二極管
英文描述: 7.5 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35
封裝: HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2
文件頁(yè)數(shù): 1/2頁(yè)
文件大小: 43K
代理商: 1N5236B-13
DS18006 Rev. 14 - 2
1 of 2
1N5221B - 1N5267B
www.diodes.com
Diodes Incorporated
1N5221B - 1N5267B
500mW EPITAXIAL ZENER DIODE
Features
Maximum Ratings and Electrical Characteristics @ TA = 25°C unless otherwise specified
Characteristic
Symbol
Value
Unit
Power Dissipation (Note 1)
Pd
500
mW
Thermal Resistance, Junction to Ambient Air (Note 1)
RqJA
300
°C/W
Forward Voltage
@ IF = 200mA
VF
1.1
V
Operating and Storage Temperature Range
Tj, TSTG
-65 to +200
°C
Case: DO-35, Glass
Terminals: Solderable per MIL-STD-202,
Method 208
Polarity: Cathode Band
Marking: Type Number
Weight: 0.13 grams (approx.)
500mW Power Dissipation
High Stability
Low Noise
Surface Mount Equivalents Available
Hermetic Package
VZ - Tolerance
±5%
Mechanical Data
A
B
C
D
DO-35
Dim
Min
Max
A
25.40
B
4.00
C
0.60
D
2.00
All Dimensions in mm
Notes:
1. Valid provided that leads are kept at TL
75°C with lead length = 9.5mm (3/8”) from case; derate above 75°C.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
1N5368B-13 47 V, 5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
1.5KE200-13 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-201
1.5KE350C-13 1500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-201
1.5KE39C-13 1500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-201
1.5KE400B 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
1N5236B-A 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:ZENER SGL 7.5V 5% 500MW 2PIN DO-35 AMMO - Ammo Pack
1N5236B-B 功能描述:穩(wěn)壓二極管 0.5W 7.5V 5% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel
1N5236BDO35 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:DIODE ZENER 7.5V 500MW DO35
1N5236BDO35E3 功能描述:DIODE ZENER 7.5V 500MW DO-35 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 單二極管/齊納 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 電壓 - 齊納(標(biāo)稱)(Vz):36V 電壓 - 在 If 時(shí)為正向 (Vf)(最大):900mV @ 10mA 電流 - 在 Vr 時(shí)反向漏電:100nA @ 27V 容差:±5% 功率 - 最大:200mW 阻抗(最大)(Zzt):70 歐姆 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70,SOT-323 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-323 包裝:剪切帶 (CT) 工作溫度:-65°C ~ 150°C 產(chǎn)品目錄頁(yè)面:1585 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:MMBZ5258BWMMBZ5258BWCTMMBZ5258BWCT-NDMMBZ5258BWDICT
1N5236BFV 制造商:National Semiconductor 功能描述:5236
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