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參數(shù)資料
| 型號： | 1N5241BT-84 |
| 元件分類： | 齊納二極管 |
| 英文描述： | 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35 |
| 文件頁數(shù)： | 3/3頁 |
| 文件大小： | 64K |
| 代理商： | 1N5241BT-84 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1N5248BT-10A | 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35 |
| 1N5248BT-11 | 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35 |
| 1N5251BT-16A | 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35 |
| 1N5230B | 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35 |
| 1N5253BT-10 | 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35 |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 1N5241BTA | 功能描述:DIODE ZENER 11V 500MW DO35 制造商:smc diode solutions 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:11V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:22 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:2μA @ 8V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:5,000 |
| 1N5241B-TAP | 功能描述:穩(wěn)壓二極管 11 Volt 0.5W 5% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel |
| 1N5241B-TP | 功能描述:穩(wěn)壓二極管 500mW 11V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel |
| 1N5241BTR | 功能描述:穩(wěn)壓二極管 11V 0.5W Zener RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel |
| 1N5241B-TR | 功能描述:穩(wěn)壓二極管 11 Volt 0.5 Watt RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel |
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