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參數資料
| 型號： | 1N5242B153 |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 齊納二極管 |
| 英文描述： | 12 V, 0.4 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35 |
| 文件頁數： | 1/5頁 |
| 文件大小： | 168K |
| 代理商： | 1N5242B153 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 110MT160KB | 3 PHASE, 110 A, 1600 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE |
| 1N825A136 | 6.2 V, SILICON, VOLTAGE REFERENCE DIODE, DO-34 |
| 1N825136 | 6.2 V, SILICON, VOLTAGE REFERENCE DIODE, DO-34 |
| 1N823A116 | 6.2 V, SILICON, VOLTAGE REFERENCE DIODE, DO-34 |
| 1N829A113 | 6.2 V, SILICON, VOLTAGE REFERENCE DIODE, DO-34 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 1N5242B-B | 功能描述:穩壓二極管 0.5W 12V 5% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數:0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel |
| 1N5242BDO35 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:DIODE ZENER 12V 500MW DO35 |
| 1N5242BDO35E3 | 功能描述:DIODE ZENER 12V 500MW DO-35 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> 單二極管/齊納 系列:- 標準包裝:1 系列:- 電壓 - 齊納（標稱）(Vz):36V 電壓 - 在 If 時為正向 (Vf)（最大）:900mV @ 10mA 電流 - 在 Vr 時反向漏電:100nA @ 27V 容差:±5% 功率 - 最大:200mW 阻抗（最大）(Zzt):70 歐姆 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應商設備封裝:SOT-323 包裝:剪切帶 (CT) 工作溫度:-65°C ~ 150°C 產品目錄頁面:1585 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:MMBZ5258BWMMBZ5258BWCTMMBZ5258BWCT-NDMMBZ5258BWDICT |
| 1N5242BRL | 制造商:SynSemi Inc 功能描述: |
| 1N5242B-T | 功能描述:穩壓二極管 500MW 12V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數:0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel |
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