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參數(shù)資料
型號(hào): 1N5250B
廠商: LITE-ON SEMICONDUCTOR CORP
元件分類(lèi): 參考電壓二極管
英文描述: 20 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35
封裝: PLASTIC, DO-35, 2 PIN
文件頁(yè)數(shù): 1/3頁(yè)
文件大?。?/td> 29K
代理商: 1N5250B
DS18006 Rev. H-2
1 of 3
1N5221B - 1N5267B
1N5221B - 1N5267B
500mW EPITAXIAL ZENER DIODE
Features
Maximum Ratings and Electrical Characteristics @ TA = 25°C unless otherwise specified
Characteristic
Symbol
Value
Unit
Power Dissipation (Note 1)
Pd
500
mW
Zener Current (Note 1)
IZ
Pd/VZ
mA
Thermal Resistance, Junction to Ambient Air (Note 1)
RθJA
300
K/W
Forward Voltage
@ IF = 200mA
VF
1.5
V
Operating and Storage Temperature Range
Tj, TSTG
-65 to +175
°C
Case: DO-35, Plastic
Terminals: Solderable per MIL-STD-202,
Method 208
Polarity: Cathode Band
Marking: Cathode Band Only
Weight: 0.13 grams (approx.)
500mW Power Dissipation
High Stability
Low Noise
Surface Mount Equivalents Available
Hemetic Package
Mechanical Data
A
B
C
D
DO-35
Dim
Min
Max
A
25.40
B
4.00
C
0.60
D
2.00
All Dimensions in mm
Notes:
1. Valid provided that electrodes are kept at ambient temperature.
2. Based on dc measurement at thermal equilibrium; lead length = 9.5mm (3/8”); thermal resistance of heat sink = 30K/W.
POWER SEMICONDUCTOR
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PDF描述
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1N5250B BK 功能描述:DIODE ZENER 20V 500MW DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納(標(biāo)稱(chēng)值)(Vz):20V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):25 Ohms 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:100nA @ 15V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500
1N5250B TR 功能描述:DIODE ZENER 20V 500MW DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標(biāo)稱(chēng)值)(Vz):20V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):25 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:100nA @ 14V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
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