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參數資料
| 型號： | 1N5256B-35 |
| 元件分類： | 齊納二極管 |
| 英文描述： | 30 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35 |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, GLASS PACKAGE-2 |
| 文件頁數： | 3/3頁 |
| 文件大小： | 87K |
| 代理商： | 1N5256B-35 |
PAGE . 3
STAD-NOV.08.2006
Vz (V)
2.7
3.9
4.3
4.7 5.1 5.6
6.2
6.8
9.1
11
12
15
20
24
5
10
15
20
25
0
Iz
(mA)
10
20
30
40
50
30
FIG. 1 POWER DERATING CURVE
50
0
100
200
300
400
500
100
150
200
250
AMBIENT TEMPERATURE, C
O
POWER
D
ISSIP
A
TION,
m
W
a
tts
Fig.2 BREAKDOWN CHARACTERISTICS
Test Current
Iz=20mA
RATING AND CHARACTERISTIC CURVES
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1N5256D-35B | 30 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35 |
| 1N5256D-35T/R | 30 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35 |
| 1N5257A-35T/R | 33 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35 |
| 1N5257B-35 | 33 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35 |
| 1N5257D-35T/B | 33 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 1N5256B-B | 功能描述:穩壓二極管 0.5W 30V 5% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數:0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel |
| 1N5256BRL | 制造商:SynSemi Inc 功能描述: |
| 1N5256BT | 功能描述:穩壓二極管 RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數:0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel |
| 1N5256B-T | 功能描述:穩壓二極管 0.5W 30V 5% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數:0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel |
| 1N5256BTA | 功能描述:DIODE ZENER 30V 500MW DO35 制造商:smc diode solutions 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態:有效 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:30V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:49 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 22V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:5,000 |
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