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參數(shù)資料
| 型號： | 1N5256B |
| 廠商： | Vishay Intertechnology,Inc. |
| 元件分類： | 參考電壓二極管 |
| 英文描述： | Silicon Z-Diodes |
| 中文描述： | 硅的Z -二極管 |
| 文件頁數(shù)： | 1/7頁 |
| 文件大小： | 37K |
| 代理商： | 1N5256B |
DATA SHEET
Product specication
Supersedes data of April 1992
1996 Apr 26
DISCRETE SEMICONDUCTORS
1N5225B to 1N5267B
Voltage regulator diodes
M3D176
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1N5261B | Silicon Z-Diodes |
| 1N5262B | Silicon Z-Diodes |
| 1N5263B | Silicon Z-Diodes |
| 1N5264B | Silicon Z-Diodes |
| 1N5267B | Silicon Z-Diodes |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| 1N5256B _AY _10001 | 制造商:PanJit Touch Screens 功能描述: |
| 1N5256B A0G | 功能描述:DIODE ZENER 30V 500MW DO35 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶盒（TB） 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:30V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:49 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 23V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1.1V @ 200mA 工作溫度:100°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準包裝:5,000 |
| 1N5256B BK | 功能描述:DIODE ZENER 30V 500MW DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:30V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:49 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 23V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準包裝:2,500 |
| 1N5256B TR | 功能描述:DIODE ZENER 30V 500MW DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:30V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:49 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 23V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準包裝:1 |
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