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參數資料
| 型號： | 1N5257B-A |
| 廠商： | DIODES INC |
| 元件分類： | 參考電壓二極管 |
| 英文描述： | Low Current Operation at 250 ，Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode |
| 中文描述： | 33 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35 |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2 |
| 文件頁數： | 1/3頁 |
| 文件大小： | 55K |
| 代理商： | 1N5257B-A |
DS18006 Rev. 15 - 2
1 of 3
1N5221B - 1N5267B
www.diodes.com
Diodes Incorporated
1N5221B - 1N5267B
500mW EPITAXIAL ZENER DIODE
Features
Maximum Ratings and Electrical Characteristics
@ T
A
= 25 C unless otherwise specified
Characteristic
Symbol
Value
Unit
Power Dissipation (Note 1)
P
d
500
mW
Thermal Resistance, Junction to Ambient Air (Note 1)
R
JA
300
C/W
Forward Voltage
@ I
F
= 200mA
V
F
1.1
V
Operating and Storage Temperature Range
T
j,
T
STG
-65 to +200
C
Case: DO-35
Case Material: Glass
Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020C
Leads: Solderable per MIL-STD-202, Method 208
Terminals: Finish - Sn96.5Ag3.5. Solderable per
MIL-STD-202, Method 208
Polarity: Cathode Band
Marking: Type Number
Weight: 0.13 grams (approximate)
500mW Power Dissipation
High Stability
Surface Mount Equivalents Available
Hermetic Package
V
Z
- Tolerance 5%
Lead Free Finish, RoHS Compliant (Note 2)
Mechanical Data
A
A
B
C
D
DO-35
Dim
Min
Max
A
25.40
B
4.00
C
0.60
D
2.00
All Dimensions in mm
Notes:
1. Valid provided that leads are kept at TL 75 C with lead length = 9.5mm (3/8”) from case; derate above 75 C.
2. EC Directive 2002/95/EC (RoHS) revision 13.2.2003. Glass and High Temperature Solder Exemptions Applied where applicable,
see EU Directive Annex Notes 5 and 7.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1N5257B-T | Low Current Operation at 250 ，Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode |
| 1N5258B-A | Low Current Operation at 250 ，Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode |
| 1N5258B-T | Low Current Operation at 250 ，Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode |
| 1N5259B-A | Low Current Operation at 250 ，Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode |
| 1N5259B-T | Low Current Operation at 250 ，Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 1N5257B-B | 功能描述:穩壓二極管 0.5W 33V 5% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數:0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel |
| 1N5257B-G | 功能描述:穩壓二極管 VR=33V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數:0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel |
| 1N5257BRL | 制造商:Motorola 功能描述:1N5257 SMT |
| 1N5257BT | 功能描述:穩壓二極管 RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數:0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel |
| 1N5257B-T | 功能描述:穩壓二極管 0.5W 33V 5% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數:0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel |
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