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參數資料
型號: 1N5257BD2B.GRPB
廠商: SEMELAB LTD
元件分類: 齊納二極管
英文描述: 33 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
封裝: HERMETIC SEALED, CERAMIC, DLCC2 VARIANT B, 2 PIN
文件頁數: 1/4頁
文件大小: 187K
代理商: 1N5257BD2B.GRPB
500mW ZENER DIODES
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Semelab
Semelab Limited
Limited
Coventry Road, Lutterworth, Leicestershire, LE17 4JB
Document Number 9024
Telephone +44 (0) 1455 556565
Fax +44 (0) 1455 552612
Issue 2
Email: sales@semelab-tt.com
Website: http://www.semelab-tt.com
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1N5221BD2A TO 1N5261BD2A
DLCC2 Hermetic Ceramic Package Designed as a Drop-In
Replacement for “D-5A”/ “A-MELF” Package
Extensive Voltage Selection (2.4V – 47V)
Standard Zener Voltage Tolerance of ±5%
Regulation Over a Large Operating Current & Temperature Range
Space Level and High-Reliability Screening Options Available
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T
A = 25°C unless otherwise stated)
VZM
Reference Voltage
See Reference Table
IZM
Continuous DC Current
See Reference Table
PT
Total Power Dissipation at
TA = 75°C
500mW
TJ
Junction Temperature Range
-55 to +175
°C
TSTG
Storage Temperature Range
-65 to +175
°C
TSP
Maximum Soldering Pad Temperature for 20s
260
°C
THERMAL PROPERTIES
Symbol
Parameter
Max
Units
RθJA
(1)
Thermal Resistance Junction to Ambient
300
°C/W
(1)
PCB = FR4 – 0.0625 Inch (1.59mm), 1 Layer, 1.0-Oz Cu, 0.007 Inch
2 (1.7mm x 2.76mm2) Pad Size, horizontal, in still air
相關PDF資料
PDF描述
1N5257BD2B.RAD 33 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
1N5257BD2B.XRAY 33 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
1N5258BD2A-JQRS.CVP 36 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
1N5258BD2A-JQRS.GBDM 36 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
1N5258BD2A-JQRS.SEM 36 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
相關代理商/技術參數
參數描述
1N5257B-G 功能描述:穩壓二極管 VR=33V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數:0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel
1N5257BRL 制造商:Motorola 功能描述:1N5257 SMT
1N5257BT 功能描述:穩壓二極管 RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數:0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel
1N5257B-T 功能描述:穩壓二極管 0.5W 33V 5% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數:0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel
1N5257BTA 功能描述:DIODE ZENER 33V 500MW DO35 制造商:smc diode solutions 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):33V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):58 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 24V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作溫度:200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:5,000
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