- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄142092 > 1N5258BAMO (NXP SEMICONDUCTORS) 36 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE PDF資料下載
參數資料
| 型號： | 1N5258BAMO |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 齊納二極管 |
| 英文描述： | 36 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| 文件頁數： | 1/4頁 |
| 文件大小： | 106K |
| 代理商： | 1N5258BAMO |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1N5338BRL | 5.1 V, 5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| 1N5235BT/R | 6.8 V, 0.4 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35 |
| 1N4936 | 1 A, 400 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 |
| 1N2224A | 5 A, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-4 |
| 1N5398GP | 1.5 A, 800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-15 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 1N5258B-B | 功能描述:穩壓二極管 0.5W 36V 5% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數:0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel |
| 1N5258BT | 功能描述:穩壓二極管 RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數:0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel |
| 1N5258B-T | 功能描述:穩壓二極管 0.5W 36V 5% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數:0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel |
| 1N5258BTA | 功能描述:DIODE ZENER 36V 500MW DO35 制造商:smc diode solutions 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態:有效 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:36V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:70 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 26V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:5,000 |
| 1N5258B-TAP | 功能描述:穩壓二極管 36 Volt 0.5W 5% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數:0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel |
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。