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參數資料
型號: 1N5260C-35T/B
元件分類: 齊納二極管
英文描述: 43 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35
封裝: ROHS COMPLIANT, GLASS PACKAGE-2
文件頁數: 2/3頁
文件大小: 87K
代理商: 1N5260C-35T/B
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STAD-NOV.08.2006
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SUFFIX “C” FOR + 10%
SUFFIX “D” FOR + 20%
* MEASURED WITH PULSES Tp=40 mSec.
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B
1*
2*
1* TYPE NO.
2* TOLERANCE OF VZ
3* e.g., 1N5225B=3.0V + 5%
相關PDF資料
PDF描述
1N5260C-35 43 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35
1N5260D-35T/R 43 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35
1N5261B-35 47 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35
1N5261C-35 47 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35
1N5261D-35T/B 47 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35
相關代理商/技術參數
參數描述
1N5260C-TAP 功能描述:穩壓二極管 43 Volt 0.5W 2% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數:0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel
1N5260C-TR 功能描述:穩壓二極管 43 Volt 0.5W 2% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數:0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel
1N5260TA 功能描述:DIODE ZENER 43V 500MW DO35 制造商:smc diode solutions 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):43V 容差:- 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):93 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 33V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作溫度:200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:5,000
1N5261 制造商:n/a 功能描述:1N5261 S9H1B
1N5261A 制造商:ONS 功能描述:ON SEMICONDUCTOR S8E3A
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