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參數(shù)資料
型號: 1N5262B153
廠商: NXP SEMICONDUCTORS
元件分類: 齊納二極管
英文描述: 51 V, 0.4 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35
文件頁數(shù): 4/5頁
文件大小: 168K
代理商: 1N5262B153
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PDF描述
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160MT80KB 3 PHASE, 160 A, 800 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE
1N827A133 6.2 V, SILICON, VOLTAGE REFERENCE DIODE, DO-34
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參數(shù)描述
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1N5262B-B 功能描述:穩(wěn)壓二極管 0.5W 51V 5% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel
1N5262BDO35 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:DIODE ZENER 51V 500MW DO35
1N5262BRL 制造商:ON Semiconductor 功能描述:
1N5262BT 功能描述:穩(wěn)壓二極管 RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel
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