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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 1N5348DTR |
| 廠商： | MICROSEMI CORP-SCOTTSDALE |
| 元件分類： | 參考電壓二極管 |
| 英文描述： | surface mount silicon Zener diodes |
| 中文描述： | 11 V, 5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| 封裝： | PLASTIC, T-18, 2 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 1/6頁 |
| 文件大小： | 87K |
| 代理商： | 1N5348DTR |
MOTOROLA
SEMICONDUCTOR
TECHNICAL DATA
Motorola TVS/Zener Device Data
6-1
5 Watt Surmetic 40 Data Sheet
5 Watt Surmetic 40
Silicon Zener Diodes
This is a complete series of 5 Watt Zener Diodes with tight limits and better operating
characteristics that reflect the superior capabilities of silicon-oxide-passivated junctions.
All this is in an axial-lead, transfer-molded plastic package that offers protection in all com-
mon environmental conditions.
Specification Features:
Up to 180 Watt Surge Rating @ 8.3 ms
Maximum Limits Guaranteed on Seven Electrical Parameters
Mechanical Characteristics:
CASE:
Void-free, transfer-molded, thermosetting plastic
FINISH:
All external surfaces are corrosion resistant and leads are readily solderable
POLARITY:
Cathode indicated by color band. When operated in zener mode, cathode
will be positive with respect to anode
MOUNTING POSITION:
Any
WEIGHT:
0.7 gram (approx)
WAFER FAB LOCATION:
Phoenix, Arizona
ASSEMBLY/TEST LOCATION:
Seoul, Korea
MAXIMUM RATINGS
Rating
Symbol
Value
Unit
DC Power Dissipation @ TL = 75
°
C
Lead Length = 3/8
″
Derate above 75
°
C
PD
5
40
Watts
mW/
°
C
Operating and Storage Junction Temperature Range
TJ, Tstg
– 65 to +200
°
C
Figure 1. Power Temperature Derating Curve
TL, LEAD TEMPERATURE (
°
C)
P
8
6
4
2
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
L = LEAD LENGTH
L =
TO HEAT SINK
L =
(SEE FIGURE 5)
L = 1/8
″
L = 3/8
″
L = 1
″
1N5333B
through
1N5388B
CASE 17
PLASTIC
5 WATT
ZENER REGULATOR
DIODES
3.3–200 VOLTS
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1N5348TR | surface mount silicon Zener diodes |
| 1N5348 | surface mount silicon Zener diodes |
| 1N5348A | TRANSISTOR, SILICON NPN, 30V, 1A, SOT-223 |
| 1N5348ATR | TRANS NPN 30V 7000MA SOT-223 |
| 1N5348 | surface mount silicon Zener diodes |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 1N5348E3/TR12 | 功能描述:DIODE ZENER 11V 5W T18 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:11V 容差:±20% 功率 - 最大值:5W 阻抗（最大值）（Zzt）:2.5 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:5μA @ 8V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:T-18，軸向 供應(yīng)商器件封裝:T-18 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 |
| 1N5348E3/TR13 | 功能描述:DIODE ZENER 11V 5W T18 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:11V 容差:±20% 功率 - 最大值:5W 阻抗（最大值）（Zzt）:2.5 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:5μA @ 8V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:T-18，軸向 供應(yīng)商器件封裝:T-18 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,250 |
| 1N5348E3/TR8 | 功能描述:DIODE ZENER 11V 5W T18 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:11V 容差:±20% 功率 - 最大值:5W 阻抗（最大值）（Zzt）:2.5 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:5μA @ 8V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:T-18，軸向 供應(yīng)商器件封裝:T-18 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 |
| 1N5348TR | 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:Silicon 5 Watt Zener Diodes |
| 1N5349 | 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:Silicon 5 Watt Zener Diodes |
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