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參數資料
| 型號： | 1N5365BTR |
| 廠商： | CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 齊納二極管 |
| 英文描述： | 36 V, 5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| 文件頁數： | 1/1頁 |
| 文件大小： | 35K |
| 代理商： | 1N5365BTR |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1N2992B | 39 V, 10 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-4 |
| 1N4454TR-RECU | 0.15 A, 75 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35 |
| 1.5CE62CABK | 1500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-201 |
| 1.5CE120ABK | 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-201 |
| 1N6301ATR | 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-201 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 1N5365C/TR12 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:DIODE ZENER 5.0W 36V 2% T-18 |
| 1N5365C/TR8 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:5.0W, VZ = 36V, ? 2% - Tape and Reel 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:DIODE ZENER 5.0W 36V 2% T-18 |
| 1N5365CE3/TR12 | 功能描述:DIODE ZENER 36V 5W T18 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態:有效 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:36V 容差:±2% 功率 - 最大值:5W 阻抗（最大值）（Zzt）:11 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 25.9V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:T-18，軸向 供應商器件封裝:T-18 標準包裝:3,000 |
| 1N5365CE3/TR13 | 功能描述:DIODE ZENER 36V 5W T18 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態:有效 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:36V 容差:±2% 功率 - 最大值:5W 阻抗（最大值）（Zzt）:11 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 25.9V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:T-18，軸向 供應商器件封裝:T-18 標準包裝:1,250 |
| 1N5365CE3/TR8 | 功能描述:DIODE ZENER 36V 5W T18 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態:有效 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:36V 容差:±2% 功率 - 最大值:5W 阻抗（最大值）（Zzt）:11 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 25.9V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:T-18，軸向 供應商器件封裝:T-18 標準包裝:1,000 |
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