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參數(shù)資料
型號(hào): 1N5381ATR
廠商: MICROSEMI CORP-SCOTTSDALE
元件分類(lèi): 齊納二極管
英文描述: MOSFET N-CH 60V 270MA TO-92
中文描述: 130 V, 5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
封裝: PLASTIC, T-18, 2 PIN
文件頁(yè)數(shù): 3/4頁(yè)
文件大小: 188K
代理商: 1N5381ATR
Silicon 5 Watt Zener Diodes
Microsemi
Scottsdale Division
8700 E. Thomas Rd. PO Box 1390, Scottsdale, AZ 85252 USA, (480) 941-6300, Fax: (480) 947-1503
Page 3
WWW
.Microse
m
i
.CO
M
S C O T TS DALE DIVISION
1N5333B thru 1N5388B, e3
1N5
333
B
thr
u
1N53
88
B
OUTLINE AND CIRCUIT
Pd,
Maximum
Power
Dissi
p
ation
(Watts
)
TL
TA on FR4
PC board
TL, Lead temperature (
oC) 3/8” from body. or
TA ambient temperature on FR4 PC Board
FIGURE 1
FIGURE 2
Power Derating Curve
Typical Capacitance vs.
Reverse Voltage for 5 Watt Zeners
PACKAGE DIMENSIONS
FIGURE 3
,e3
Typical Capacitance vs.
Reverse Voltage for 5 Watt Zeners
Copyright
2008
8-06-2008 REV D
相關(guān)PDF資料
PDF描述
1N5381BTR MOSFET N-CH 100V 200MA TO-92
1N5381C FET SOT23 GENERAL PURPOSE N_CHANNEL FET
1N5381CTR surface mount silicon Zener diodes
1N5381D surface mount silicon Zener diodes
1N5381DTR surface mount silicon Zener diodes
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
1N5381B 功能描述:穩(wěn)壓二極管 130V 5W RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel
1N5381B/TR12 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:5.0W, VZ = 130V, ? 5% - Tape and Reel 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:DIODE ZENER 5.0W 130V 5% T-18
1N5381B/TR8 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:5.0W, VZ = 130V, ? 5% - Tape and Reel 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:DIODE ZENER 5.0W 130V 5% T-18
1N5381BE3/TR12 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:5.0W, VZ = 130V, ? 5% - Tape and Reel 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:DIODE ZENER 5.0W 130V 5% T-18
1N5381BE3/TR13 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:5.0W, VZ = 130V, ? 5% - Tape and Reel 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:DIODE ZENER 5.0W 130V 5% T-18
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