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參數資料
| 型號： | 1N5381B(130V) |
| 元件分類： | 參考電壓二極管 |
| 英文描述： | Low Current Operation at 250 ，Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode |
| 中文描述： | 250 的低電流運算，低反向泄露，低噪聲穩壓二極管 |
| 文件頁數： | 1/2頁 |
| 文件大小： | 21K |
| 代理商： | 1N5381B(130V) |
4.5
±0.1
1.2
±0.05
) Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschludrhte in 10 mm Abstand von Gehuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
146
1
01.01.99
Diotec
1N 5345B … 1N 5388B (5 W)
Silicon-Power-Z-Diodes
Silizium-Leistungs-Z-Dioden
Nominal breakdown voltage
Nenn-Arbeitsspannung
8.7…200 V
Standard tolerance of Z-voltage
Standard-Toleranz der Arbeitsspannung
± 5 % (E24)
Plastic case – Kunststoffgehuse
~ DO-201
Weight approx. – Gewicht ca.
1 g
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging taped in ammo pack
Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack
see page 17
siehe Seite 17
Dimensions / Mae in mm
Standard Z-voltage tolerance is graded to the international E 24 standard.
Other voltage tolerances and higher Z-voltages on request.
Die Toleranz der Arbeitsspannung ist in der Standard-Ausführung gestuft nach der internationalen
Reihe E 24. Andere Toleranzen oder hhere Arbeitsspannungen auf Anfrage.
Maximum ratings
Grenzwerte
Z-voltages see table on next page
Arbeitsspannungen siehe Tabelle auf der nchsten Seite
Power dissipation
Verlustleistung
T = 25 °C
P
5.0 W )
tot
1
Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
T
T
– 50…+150°C
– 50…+175°C
j
S
Characteristics
Kennwerte
Thermal resistance junction to ambient air
Wrmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
R
< 25K/W )
thA
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1N5382B(140V) | Low Current Operation at 250 ，Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode |
| 1N5383B(150V) | Low Current Operation at 250 ，Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode |
| 1N5384B(160V) | Low Current Operation at 250 ，Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode |
| 1N5385B(170V) | Low Current Operation at 250 ，Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode |
| 1N5386B(180V) | Low Current Operation at 250 ，Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 1N5381BE3/TR12 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:5.0W, VZ = 130V, ? 5% - Tape and Reel 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:DIODE ZENER 5.0W 130V 5% T-18 |
| 1N5381BE3/TR13 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:5.0W, VZ = 130V, ? 5% - Tape and Reel 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:DIODE ZENER 5.0W 130V 5% T-18 |
| 1N5381BE3/TR8 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:5.0W, VZ = 130V, ? 5% - Tape and Reel 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:DIODE ZENER 5.0W 130V 5% T-18 |
| 1N5381BG | 功能描述:穩壓二極管 130V 5W RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數:0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel |
| 1N5381BRL | 功能描述:穩壓二極管 130V 5W RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數:0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel |
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