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參數資料
| 型號： | 1N5401G-B |
| 廠商： | DIODES INC |
| 元件分類： | 參考電壓二極管 |
| 英文描述： | 3.0A GLASS PASSIVATED RECTIFIER |
| 中文描述： | 3 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2 |
| 文件頁數： | 1/3頁 |
| 文件大小： | 69K |
| 代理商： | 1N5401G-B |
e
3
DS29003 Rev. 6 - 2
1 of 3
1N5400G-1N5408G
www.diodes.com
Diodes Incorporated
1N5400G - 1N5408G
3.0A GLASS PASSIVATED RECTIFIER
Features
DO-201AD
Min
Dim
A
B
C
D
Max
25.40
—
7.20
9.50
1.20
1.30
4.80
5.30
All Dimensions in mm
A
A
B
C
D
Maximum Ratings and Electrical Characteristics
@ T
A
= 25°C unless otherwise specified
Glass Passivated Die Construction
High Current Capability and Low Forward Voltage Drop
Surge Overload Rating to 125A Peak
Lead Free Finish, RoHS Compliant (Note 4)
Mechanical Data
Case: DO-201AD
Case Material: Molded Plastic. UL Flammability
Classification Rating 94V-0
Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020C
Terminals: Finish - Tin. Plated Leads Solderable per
MIL-STD-202, Method 208
Polarity: Cathode Band
Ordering Information: See Last Page
Marking: Type Number
Weight: 1.12 grams (approximate)
Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%.
Characteristic
Symbol
1N
5400G
1N
5401G
1N
5402G
1N
5403G
1N
5404G
1N
5405G
1N
5406G
1N
5407G
1N
5408G
Unit
Peak Repetitive Reverse Voltage
Working Peak Reverse Voltage
DC Blocking Voltage
RMS Reverse Voltage
Average Rectified Output Current
(Note 1)
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current
8.3ms single half sine-wave superimposed on
rated load
Forward Voltage
Peak Reverse Current
at Rated DC Blocking Voltage
V
RRM
V
RWM
V
R
V
R(RMS)
50
100
200
300
400
500
600
800
1000
V
35
70
140
210
280
350
420
580
700
V
@ T
A
= 55°C
I
O
3.0
A
I
FSM
125
A
@ I
F
= 3.0A
@ T
A
= 25°C
@ T
A
= 125°C
V
FM
1.1
5.0
100
2.0
40
32
V
I
RM
A
Reverse Recovery Time (Note 3)
Typical Total Capacitance (Note 2)
Typical Thermal Resistance Junction to Ambient
Operating and Storage Temperature Range
t
rr
C
T
R
JA
T
j,
T
STG
s
pF
°C/W
°C
-65 to +150
Notes:
1. Valid provided that leads are kept at ambient temperature at a distance of 9.5mm from the case.
2. Measured at 1.0 MHz and applied reverse voltage of 4.0V DC.
3. Measured with I
F
= 0.5A, I
R
= 1.0A, I
rr
= 0.25A.
4. RoHS revision 13.2.2003. Glass and High Temperature Solder Exemptions Applied, see EU Directive Annex Notes 5 and 7.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1N5401G-T | 3.0A GLASS PASSIVATED RECTIFIER |
| 1N5402G-B | 3.0A GLASS PASSIVATED RECTIFIER |
| 1N5402G-T | 3.0A GLASS PASSIVATED RECTIFIER |
| 1N5403G-B | 3.0A GLASS PASSIVATED RECTIFIER |
| 1N5403G-T | 3.0A GLASS PASSIVATED RECTIFIER |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 1N5401G-E | 制造商:GULFSEMI 制造商全稱:Gulf Semiconductor 功能描述:GLASS PASSIVATED JUNCTION RECTIFIER VOLTAGE: 50V to 1000V CURRENT: 3.0A |
| 1N5401GHA0G | 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 3A DO201AD 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:帶盒（TB） 零件狀態:在售 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 電流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1.1V @ 3A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io） 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 100V 不同?Vr，F 時的電容:25pF @ 4V，1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-201AD，軸向 供應商器件封裝:DO-201AD 工作溫度 - 結:-55°C ~ 150°C 標準包裝:500 |
| 1N5401GHB0G | 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 3A DO201AD 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:散裝 零件狀態:在售 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 電流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1.1V @ 3A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io） 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 100V 不同?Vr，F 時的電容:25pF @ 4V，1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-201AD，軸向 供應商器件封裝:DO-201AD 工作溫度 - 結:-55°C ~ 150°C 標準包裝:500 |
| 1N5401GHR0G | 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 3A DO201AD 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:帶卷（TR） 零件狀態:在售 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 電流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1.1V @ 3A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io） 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 100V 不同?Vr，F 時的電容:25pF @ 4V，1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-201AD，軸向 供應商器件封裝:DO-201AD 工作溫度 - 結:-55°C ~ 150°C 標準包裝:1,250 |
| 1N5401GM | 制造商:GULFSEMI 制造商全稱:Gulf Semiconductor 功能描述:GLASS PASSIVATED JUNCTION RECTIFIER VOLTAGE: 50V to 1000V CURRENT: 3.0A |
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