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參數資料
| 型號： | 1N5401G |
| 元件分類： | 整流器 |
| 英文描述： | 3 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD |
| 封裝： | GREEN, PLASTIC PACKAGE-2 |
| 文件頁數： | 1/2頁 |
| 文件大小： | 346K |
| 代理商： | 1N5401G |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1N5407G | 3 A, 800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD |
| 1N5401 | 3 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD |
| 1N5402 | 3 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD |
| 1N5401 | 3 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-27 |
| 1N5402 | 3 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-27 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 1N5401-G | 功能描述:二極管 - 通用，功率，開關 VR=100V, IO=3A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 產品:Switching Diodes 峰值反向電壓:600 V 正向連續電流:200 A 最大浪涌電流:800 A 配置: 恢復時間:2000 ns 正向電壓下降:1.25 V 最大反向漏泄電流:300 uA 最大功率耗散: 工作溫度范圍: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:ISOTOP 封裝:Tube |
| 1N5401G A0G | 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 3A DO201AD 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶盒（TB） 零件狀態:在售 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 電流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1.1V @ 3A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io） 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 100V 不同?Vr，F 時的電容:25pF @ 4V，1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-201AD，軸向 供應商器件封裝:DO-201AD 工作溫度 - 結:-55°C ~ 150°C 標準包裝:500 |
| 1N5401G B0G | 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 3A DO201AD 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:在售 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 電流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1.1V @ 3A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io） 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 100V 不同?Vr，F 時的電容:25pF @ 4V，1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-201AD，軸向 供應商器件封裝:DO-201AD 工作溫度 - 結:-55°C ~ 150°C 標準包裝:500 |
| 1N5401G R0 | 制造商:SKMI/Taiwan 功能描述:Diode 100V 3A 2-Pin DO-201AD T/R |
| 1N5401G R0G | 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 3A DO201AD 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態:在售 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 電流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1.1V @ 3A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io） 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 100V 不同?Vr，F 時的電容:25pF @ 4V，1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-201AD，軸向 供應商器件封裝:DO-201AD 工作溫度 - 結:-55°C ~ 150°C 標準包裝:1,250 |
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