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參數資料
| 型號： | 1N5406-T3 |
| 廠商： | Won-Top Electronics Co., Ltd. |
| 英文描述： | 3.0A SILICON RECTIFIER |
| 中文描述： | 3.0A的整流硅 |
| 文件頁數： | 1/3頁 |
| 文件大小： | 78K |
| 代理商： | 1N5406-T3 |
1N5400GP
THRU
1N5408GP
3 Amp Glass
Passivated Rectifier
50 - 1000 Volts
DO-201AD
Features
Low Current Leakage
Metalurgically Bonded Construction
Low Forward Voltage
High Current Capability
Glass Passivated Junction
Maximum Ratings
Operating Temperature: -55
°
C to +150
°
C
Storage Temperature: -55
°
C to +150
°
C
Maximum Thermal Resistance; 30
°
C/W Junction To Lead
DIMENSIONS
INCHES
MIN
---
---
.048
1.000
MM
DIM
A
B
C
D
MAX
.370
.250
.052
---
MIN
---
---
1.20
25.40
MAX
9.50
6.40
1.30
---
NOTE
MCC
Catalog
Number
Device
Marking
Maximum
Recurrent
Peak
Reverse
Voltage
50V
100V
200V
400V
600V
800V
1000V
Maximum
RMS
Voltage
Maximum
DC
Blocking
Voltage
1N5400GP
1N5401GP
1N5402GP
1N5404GP
1N5406GP
1N5407GP
1N5408GP
---
---
---
---
---
---
---
35V
70V
140V
280V
420V
560V
700V
50V
100V
200V
400V
600V
800V
1000V
Electrical Characteristics @ 25
°
C Unless Otherwise Specified
Average Forward
Current
Peak Forward Surge
Current
Maximum
Instantaneous
Forward Voltage
Maximum DC
Reverse Current At
Rated DC Blocking
Voltage
Typical Junction
Capacitance
*Pulse test: Pulse width 300
μ
sec, Duty cycle 1%
I
F(AV)
3.0A
T
A
= 105
°
C
I
FSM
200A
8.3ms, half sine
V
F
1.1V
I
FM
= 3.0A;
T
J
= 25
°
C*
I
R
5.0
μ
A
50
μ
A
T
J
= 25
°
C
T
J
= 125
°
C
C
J
40pF
Measured at
1.0MHz, V
R
=4.0V
A
B
C
D
D
Cathode
Mark
www.
mc c semi
.c om
omp
onents
21201 Itasca Street Chatsworth
!
"#
"#
$ %
!
M C C
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1N5406-TB | 3.0A SILICON RECTIFIER |
| 1N5415 | Axialleaded Hermetically Sealed Superfast Recovery Rectifier Diode(反向電壓50V,軸向引腳，密封超快恢復整流二極管) |
| 1N5416 | Axialleaded Hermetically Sealed Superfast Recovery Rectifier Diode(反向電壓100V,軸向引腳，密封超快恢復整流二極管) |
| 1N5417 | Axialleaded Hermetically Sealed Superfast Recovery Rectifier Diode(反向電壓200V,軸向引腳，密封超快恢復整流二極管) |
| 1N5418 | Axialleaded Hermetically Sealed Superfast Recovery Rectifier Diode(反向電壓400V,軸向引腳，密封超快恢復整流二極管) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 1N5406-T6-T | 制造商:Taitron Components Inc 功能描述: |
| 1N5406TA | 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD 制造商:smc diode solutions 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態:有效 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 電流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 3A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 600V 不同?Vr，F 時的電容:30pF @ 0V，1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-201AD，軸向 供應商器件封裝:DO-201AD 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:1,250 |
| 1N5406-TB | 制造商:WTE 制造商全稱:Won-Top Electronics 功能描述:3.0A STANDARD DIODE |
| 1N5406T-G | 功能描述:二極管 - 通用，功率，開關 VRRM=600V, IAV=3A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 產品:Switching Diodes 峰值反向電壓:600 V 正向連續電流:200 A 最大浪涌電流:800 A 配置: 恢復時間:2000 ns 正向電壓下降:1.25 V 最大反向漏泄電流:300 uA 最大功率耗散: 工作溫度范圍: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:ISOTOP 封裝:Tube |
| 1N5406-TP | 功能描述:整流器 Standard 600V 3A RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復時間:1.2 us 正向連續電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel |
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