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參數資料
型號: 1N5406GH35
廠商: RECTRON LTD
元件分類: 整流器
英文描述: 3 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD
文件頁數: 1/1頁
文件大小: 63K
代理商: 1N5406GH35
相關PDF資料
PDF描述
1N5408G-F 3 A, 1000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD
1N5408GM22 3 A, 1000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD
1F16-E 0.5 A, 1600 V, SILICON, SIGNAL DIODE
1N5711 SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35
1.5KE100CAH32 1500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-201AD
相關代理商/技術參數
參數描述
1N5406GHA0G 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:汽車級,AEC-Q101 包裝:帶盒(TB) 零件狀態:在售 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):600V 電流 - 平均整流(Io):3A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:1V @ 3A 速度:標準恢復 >500ns,> 200mA(Io) 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 600V 不同?Vr,F 時的電容:25pF @ 4V,1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-201AD,軸向 供應商器件封裝:DO-201AD 工作溫度 - 結:-55°C ~ 150°C 標準包裝:500
1N5406GHB0G 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:汽車級,AEC-Q101 包裝:散裝 零件狀態:在售 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):600V 電流 - 平均整流(Io):3A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:1V @ 3A 速度:標準恢復 >500ns,> 200mA(Io) 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 600V 不同?Vr,F 時的電容:25pF @ 4V,1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-201AD,軸向 供應商器件封裝:DO-201AD 工作溫度 - 結:-55°C ~ 150°C 標準包裝:500
1N5406GHR0G 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:汽車級,AEC-Q101 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:在售 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):600V 電流 - 平均整流(Io):3A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:1V @ 3A 速度:標準恢復 >500ns,> 200mA(Io) 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 600V 不同?Vr,F 時的電容:25pF @ 4V,1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-201AD,軸向 供應商器件封裝:DO-201AD 工作溫度 - 結:-55°C ~ 150°C 標準包裝:1,250
1N5406GM 制造商:GULFSEMI 制造商全稱:Gulf Semiconductor 功能描述:GLASS PASSIVATED JUNCTION RECTIFIER VOLTAGE: 50V to 1000V CURRENT: 3.0A
1N5406GP 制造商:MCC 制造商全稱:Micro Commercial Components 功能描述:3 Amp Glass Passivated Rectifier 50 - 1000 Volts
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