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參數資料
型號: 1N5407G
英文描述: GLASS PASSIVATED JUNCTION RECTIFIER
中文描述: 玻璃鈍化整流結
文件頁數: 1/3頁
文件大小: 220K
代理商: 1N5407G
Note:
(1) Pulse test: Pulse width 300uSec, Duty cycle 1%
Symbols
1N
5400G
1N
5401G
1N
5402G
1N
5404G
1N
5406G
1N
5407G
1N
5408G
Units
Maximum repetitive peak reverse voltage
V
RRM
50
100
200
400
600
800
1000
Volts
Maximum RMS voltage
V
RMS
35
70
140
280
420
560
700
Volts
Maximum DC blocking voltage
V
DC
50
100
200
400
600
800
1000
Volts
Average forward current T
A=105
I
F(AV)
3.0
Amps
Peak forward surge current
8.3mS half sine-wave
I
FSM
200.0
Amps
Maximum instantaneous
I
FM=3.0A; TJ=25
forward voltage
(Note 1)
V
F
1.1
Volts
Maximum DC reverse current
T
J=25
at rated DC blocking voltage
T
J=125
I
R
5.0
50.0
A
Typical junction capacitance
Measure at 1.0MHz,
V
R=4.0V
C
J
40
F
Typical thermal resistance
R
JA
30
/W
Operating and storage temperature range
T
J, TSTG
-65 to +175
Features
1N5400G THRU 1N5408G
GLASS PASSIVATED JUNCTION RECTIFIER
Reverse Voltage - 50 to 1000 Volts
Forward Current - 3.0 Amperes
DIMENSIONS
DIM
inches
mm
Note
Min.
Max.
Min.
Max.
A
0.283
0.374
7.20
9.50
B
0.189
0.208
4.80
5.30
C
0.048
0.051
1.20
1.30
D
1.000
-
25.40
-
Maximum Ratings and Electrical Characteristics @25 unless otherwise specified
1
Plastic package has Underwriters Laboratory Flammability
Classification 94V-0
High temperature metallurgically bonded construction
Glass passivated cavity-free junction
Capable of meeting environmental standards of
MIL-S-19500
3.0 ampere operation at T
A=105
with no thermal runaway
Typical I
R less than 0.1
A
High temperature soldering guaranteed:
350 /10 seconds, 0.375 (9.5mm) lead length,
5 lbs. (2.3Kg) tension
Mechanical Data
Case: DO-201AD molded plastic over glass body
Terminals: Plated axial leads, solderable per
MIL-STD-750, method 2026
Polarity: Color band denotes cathode end
Mounting Position: Any
Weight: 0.042 ounce, 1.195 grams
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PDF描述
1N5441 GENERAL PURPOSE ABRUPT VARACTOR DIODES
1N5442 GENERAL PURPOSE ABRUPT VARACTOR DIODES
1N5443 GENERAL PURPOSE ABRUPT VARACTOR DIODES
1N5444 GENERAL PURPOSE ABRUPT VARACTOR DIODES
1N5445 GENERAL PURPOSE ABRUPT VARACTOR DIODES
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參數描述
1N5407-G 功能描述:二極管 - 通用,功率,開關 VR=800V, IO=3A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 產品:Switching Diodes 峰值反向電壓:600 V 正向連續電流:200 A 最大浪涌電流:800 A 配置: 恢復時間:2000 ns 正向電壓下降:1.25 V 最大反向漏泄電流:300 uA 最大功率耗散: 工作溫度范圍: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:ISOTOP 封裝:Tube
1N5407G A0G 功能描述:DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):800V 電流 - 平均整流(Io):3A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:1V @ 3A 速度:標準恢復 >500ns,> 200mA(Io) 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 800V 不同?Vr,F 時的電容:25pF @ 4V,1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-201AD,軸向 供應商器件封裝:DO-201AD 工作溫度 - 結:-55°C ~ 150°C 標準包裝:1
1N5407G B0G 功能描述:DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:在售 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):800V 電流 - 平均整流(Io):3A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:1V @ 3A 速度:標準恢復 >500ns,> 200mA(Io) 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 800V 不同?Vr,F 時的電容:25pF @ 4V,1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-201AD,軸向 供應商器件封裝:DO-201AD 工作溫度 - 結:-55°C ~ 150°C 標準包裝:500
1N5407G R0 制造商:SKMI/Taiwan 功能描述:Diode 800V 3A 2-Pin DO-201AD T/R
1N5407G R0G 功能描述:DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:在售 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):800V 電流 - 平均整流(Io):3A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:1V @ 3A 速度:標準恢復 >500ns,> 200mA(Io) 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 800V 不同?Vr,F 時的電容:25pF @ 4V,1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-201AD,軸向 供應商器件封裝:DO-201AD 工作溫度 - 結:-55°C ~ 150°C 標準包裝:1,250
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