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參數(shù)資料
| 型號： | 1N5407GH36-3 |
| 廠商： | RECTRON LTD |
| 元件分類： | 整流器 |
| 英文描述： | 3 A, 800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD |
| 文件頁數(shù)： | 1/1頁 |
| 文件大小： | 63K |
| 代理商： | 1N5407GH36-3 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1N5407GH36 | 3 A, 800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD |
| 1N5407GM21 | 3 A, 800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD |
| 1N5407GM28 | 3 A, 800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD |
| 1N5408GH36-1 | 3 A, 1000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD |
| 1N5408GM24 | 3 A, 1000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 1N5407GHA0G | 功能描述:DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:帶盒（TB） 零件狀態(tài):在售 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:800V 電流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1V @ 3A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io） 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 800V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:25pF @ 4V，1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-201AD，軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-201AD 工作溫度 - 結(jié):-55°C ~ 150°C 標準包裝:500 |
| 1N5407GHB0G | 功能描述:DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:800V 電流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1V @ 3A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io） 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 800V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:25pF @ 4V，1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-201AD，軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-201AD 工作溫度 - 結(jié):-55°C ~ 150°C 標準包裝:500 |
| 1N5407GHR0G | 功能描述:DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):在售 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:800V 電流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1V @ 3A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io） 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 800V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:25pF @ 4V，1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-201AD，軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-201AD 工作溫度 - 結(jié):-55°C ~ 150°C 標準包裝:1,250 |
| 1N5407GM | 制造商:GULFSEMI 制造商全稱:Gulf Semiconductor 功能描述:GLASS PASSIVATED JUNCTION RECTIFIER VOLTAGE: 50V to 1000V CURRENT: 3.0A |
| 1N5407GP | 制造商:CHENYI 制造商全稱:Shanghai Lunsure Electronic Tech 功能描述:3 Amp Glass Passivated Rectifier 50-1000 Volts |
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