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參數資料
| 型號： | 1N5407GM22 |
| 廠商： | RECTRON LTD |
| 元件分類： | 參考電壓二極管 |
| 英文描述： | 3 A, 800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD |
| 文件頁數： | 1/1頁 |
| 文件大小： | 63K |
| 代理商： | 1N5407GM22 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1N5408GM21 | 3 A, 1000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD |
| 1N6263 | SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35 |
| 1.5KE110M25 | 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-201AD |
| 1.5KE11AH31 | 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-201AD |
| 1.5KE11AM25 | 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-201AD |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 1N5407GP | 制造商:CHENYI 制造商全稱:Shanghai Lunsure Electronic Tech 功能描述:3 Amp Glass Passivated Rectifier 50-1000 Volts |
| 1N5407GP-E3/54 | 功能描述:DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態:有效 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:800V 電流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 3A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 400V 不同?Vr，F 時的電容:30pF @ 4V，1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-201AD，軸向 供應商器件封裝:DO-201AD 工作溫度 - 結:-50°C ~ 150°C 標準包裝:1,400 |
| 1N5407GP-E3/73 | 功能描述:DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:帶盒（TB） 零件狀態:有效 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:800V 電流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 3A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 400V 不同?Vr，F 時的電容:30pF @ 4V，1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-201AD，軸向 供應商器件封裝:DO-201AD 工作溫度 - 結:-50°C ~ 150°C 標準包裝:1,000 |
| 1N5407GP-TP | 功能描述:DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD 制造商:micro commercial co 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態:在售 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:800V 電流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1.1V @ 3A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io） 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 800V 不同?Vr，F 時的電容:40pF @ 4V，1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-201AD，軸向 供應商器件封裝:DO-201AD 工作溫度 - 結:-55°C ~ 150°C 標準包裝:1,200 |
| 1N5407G-T | 功能描述:整流器 3.0A 800V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復時間:1.2 us 正向連續電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel |
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