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參數資料
| 型號： | 1N5408G-13 |
| 廠商： | DIODES INC |
| 元件分類： | 整流器 |
| 英文描述： | 3 A, 1000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD |
| 文件頁數： | 1/1頁 |
| 文件大小： | 52K |
| 代理商： | 1N5408G-13 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1N5401G-A | 3 A, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 1N4936AMP | 1 A, 400 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
| 1N4936GP | 1 A, 400 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AL |
| 1N4937GP | 1 A, 600 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 |
| 1N4937 | 1 A, 600 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 1N5408G-B | 功能描述:整流器 Vr/1000V Io/3A BULK RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復時間:1.2 us 正向連續電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel |
| 1N5408G-E | 制造商:GULFSEMI 制造商全稱:Gulf Semiconductor 功能描述:GLASS PASSIVATED JUNCTION RECTIFIER VOLTAGE: 50V to 1000V CURRENT: 3.0A |
| 1N5408GHA0G | 功能描述:DIODE GEN PURP 3A DO201AD 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:帶盒（TB） 零件狀態:在售 二極管類型:標準 電流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1V @ 3A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io） 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 1000V 不同?Vr，F 時的電容:25pF @ 4V，1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-201AD，軸向 供應商器件封裝:DO-201AD 工作溫度 - 結:-55°C ~ 150°C 標準包裝:500 |
| 1N5408GHB0G | 功能描述:DIODE GEN PURP 3A DO201AD 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:散裝 零件狀態:在售 二極管類型:標準 電流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1V @ 3A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io） 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 1000V 不同?Vr，F 時的電容:25pF @ 4V，1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-201AD，軸向 供應商器件封裝:DO-201AD 工作溫度 - 結:-55°C ~ 150°C 標準包裝:500 |
| 1N5408GHR0G | 功能描述:DIODE GEN PURP 3A DO201AD 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:帶卷（TR） 零件狀態:在售 二極管類型:標準 電流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1V @ 3A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io） 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 1000V 不同?Vr，F 時的電容:25pF @ 4V，1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-201AD，軸向 供應商器件封裝:DO-201AD 工作溫度 - 結:-55°C ~ 150°C 標準包裝:1,250 |
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