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參數資料
| 型號： | 1N5408GP |
| 廠商： | MICROSEMI CORP |
| 元件分類： | 整流器 |
| 英文描述： | 3 A, 1000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD |
| 文件頁數： | 1/3頁 |
| 文件大小： | 38K |
| 代理商： | 1N5408GP |
21201 Itasca St.
Chatsworth, CA 91311
Phone: (818) 701-4933
Fax:
(818) 701-4939
1N5400GP
thru
1N5408GP
3 Amp Glass
Passivated Rectifier
50 - 1000 Volts
DO-201AD
Features
Low Current Leakage
Metalurgically Bonded Construction
Low Forward Voltage
High Current Capability
Glass Passivated Junction
DIMENSIONS
INCHES
MM
DIM
MIN
MAX
MIN
MAX
NOTE
A
---
.370
---
9.50
B
---
.250
---
6.40
C
.048
.052
1.20
1.30
D
1.000
---
25.40
---
Maximum Ratings
Operating Temperature: -65
°C to +175°C
Storage Temperature: -65
°C to +175°C
Maximum Thermal Resistance; 30
°C/W Junction To Lead
Microsemi
Part Number
Maximum
Recurrent
Peak Reverse
Voltage
Maximum
RMS Voltage
Maximum DC
Blocking
Voltage
1N5400GP
50V
35V
50V
1N5401GP
100V
70V
100V
1N5402GP
200V
140V
200V
1N5404GP
400V
280V
400V
1N5406GP
600V
420V
600V
1N5407GP
800V
560V
800V
1N5408GP
1000V
700V
1000V
Electrical Characteristics @ 25°C Unless Otherwise Specified
Average Forward
Current
IF(AV)
3.0A
TA = 105
°C
Peak Forward Surge
Current
IFSM
200A
8.3ms, half sine
Maximum
Instantaneous
Forward Voltage
VF
1.1V
IFM = 3.0A;
TJ = 25
°C*
Maximum DC
Reverse Current At
Rated DC Blocking
Voltage
IR
5.0
A
50
A
TJ = 25
°C
TJ = 125
°C
Typical Junction
Capacitance
CJ
40pF
Measured at
1.0MHz, VR=4.0V
*Pulse test: Pulse width 300
sec, Duty cycle 1%
A
B
C
D
Cathode
Mark
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1N5400G | 3 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD |
| 1N5406G | 3 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD |
| 1N5400TR | 3 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD |
| 1N5401BK | 3 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD |
| 1N5401TR | 3 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 1N5408GP-E3/54 | 功能描述:DIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態:有效 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:1000V（1kV） 電流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 3A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 400V 不同?Vr，F 時的電容:30pF @ 4V，1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-201AD，軸向 供應商器件封裝:DO-201AD 工作溫度 - 結:-50°C ~ 150°C 標準包裝:1,400 |
| 1N5408GPT | 制造商:CHENMKO 制造商全稱:Chenmko Enterprise Co. Ltd. 功能描述:JUNCTION PLASTIC RECTIFIER VOLTAGE RANGE 50 - 1000 Volts CURRENT 3 Amperes |
| 1N5408GP-TP | 功能描述:DIODE STD REC 3A 1000V DO-201AD RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> 單二極管/整流器 系列:- 標準包裝:100 系列:- 二極管類型:標準 電壓 - (Vr)（最大）:50V 電流 - 平均整流 (Io):6A 電壓 - 在 If 時為正向 (Vf)（最大）:1.4V @ 6A 速度:快速恢復 = 200mA（Io） 反向恢復時間(trr):300ns 電流 - 在 Vr 時反向漏電:15µA @ 50V 電容@ Vr, F:- 安裝類型:底座，接線柱安裝 封裝/外殼:DO-203AA，DO-4，接線柱 供應商設備封裝:DO-203AA 包裝:散裝 其它名稱:*1N3879 |
| 1N5408G-T | 功能描述:整流器 3.0A 1000V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復時間:1.2 us 正向連續電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel |
| 1N5408K | 制造商:DIOTEC 制造商全稱:Diotec Semiconductor 功能描述:Si-Rectifiers - Si-Gleichrichter |
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