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參數(shù)資料
| 型號： | 1N5554S |
| 廠商： | SENSITRON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | 整流器 |
| 英文描述： | 3 A, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 文件頁數(shù)： | 1/2頁 |
| 文件大小： | 132K |
| 代理商： | 1N5554S |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1N5614S | 1 A, SILICON, SIGNAL DIODE |
| 1N5615US | 1 A, SILICON, SIGNAL DIODE |
| 1N5616S | 1 A, SILICON, SIGNAL DIODE |
| 1N5617V | 1 A, SILICON, SIGNAL DIODE |
| 1N5617X | 1 A, SILICON, SIGNAL DIODE |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 1N5554US | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:Diode Switching 1KV 5A 2-Pin E-MELF 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:STD RECOVERY RECTFR 1.1KV 5A 2PIN E-MELF - Bulk 制造商:Microsemi 功能描述:Diode Switching 1KV 5A 2-Pin E-MELF |
| 1N5554US/TR | 功能描述:STD RECTIFIER 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):在售 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:1000V 電流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1.3V @ 9A 速度:標(biāo)準(zhǔn)恢復(fù) >500ns，> 200mA（Io） 反向恢復(fù)時間（trr）:2μs 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 1000V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SQ-MELF，E 供應(yīng)商器件封裝:D-5B 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 175°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:100 |
| 1N5555 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:Diode TVS Single Uni-Dir 30.5V 1.5KW 2-Pin DO-13 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:DO-13 SD - Bulk |
| 1N5555JAN | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述: |
| 1N5555JANTX | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:Diode TVS Single Uni-Dir 30.5V 1.5KW 2-Pin DO-13 |
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