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參數資料
| 型號： | 1N5619GP/65-E3 |
| 廠商： | VISHAY SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 參考電壓二極管 |
| 英文描述： | 1 A, 600 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AC |
| 封裝： | PLASTIC, DO-15, 2 PIN |
| 文件頁數： | 1/4頁 |
| 文件大小： | 324K |
| 代理商： | 1N5619GP/65-E3 |
1N5615GP thru 1N5623GP
Document Number 88522
19-Sep-05
Vishay General Semiconductor
www.vishay.com
1
DO-204AC (DO-15)
Pat
ente
d*
* Glass-plastic encapsulation
technique is covered by
Patent No. 3,996,602, and
brazed-lead assembly
by Patent No. 3,930,306
Glass Passivated Junction Fast Switching Rectifier
Major Ratings and Characteristics
IF(AV)
1.0 A
VRRM
200 V to 1000 V
IFSM
50 A
trr
150 ns, 250 ns, 300 ns, 500 ns
IR
0.5 A
VF
1.2 V
Tj max.
175 °C
Features
Superectifier structure for High Reliability
condition
Cavity-free glass-passivated junction
Fast switching for high efficiency
Low leakage current
High forward surge capability
Meets environmental standard MIL-S-19500
Solder Dip 260 °C, 40 seconds
Typical Applications
For use in fast switching rectification of power supply,
inverters, converters and freewheeling diodes for
consumer, automotive and Telecommunication
Mechanical Data
Case: DO-204AC, molded epoxy over glass body
Epoxy meets UL-94V-0 Flammability rating
Terminals: Matte tin plated leads, solderable per
J-STD-002B and JESD22-B102D
E3 suffix for commercial grade, HE3 suffix for high
reliability grade (AEC Q101 qualified)
Polarity: Color band denotes cathode end
Maximum Ratings
(TA = 25 °C unless otherwise noted)
Parameter
Symbols
1N5615GP
1N5617GP
1N5619GP
1N5621GP
1N5623GP
Units
Maximum repetitive peak reverse voltage
VRRM
200
400
600
800
1000
V
Maximum RMS voltage
VRMS
140
280
420
560
700
V
Maximum DC blocking voltage
VDC
200
400
600
800
1000
A
Maximum average forward rectified current
0.375" (9.5 mm) lead length at TA = 55 °C
IF(AV)
1.0
A
Peak forward surge current 8.3 ms single
half sine-wave superimposed on rated load
IFSM
50
A
Operating junction and storage
temperature range
TJ,TSTG
- 65 to + 175
°C
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1N5621GP/72-E3 | 1 A, 800 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AC |
| 1N5622GP/51-E3 | 1 A, 1000 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AC |
| 1N5623GP/4H-E3 | 1 A, 1000 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AC |
| 1.5KA10-E3/65 | 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| 1.5KA10-E3-1 | 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 1N5619GP-E3/1 | 功能描述:整流器 600 Volt 1.0A 250ns Glass Passivated RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復時間:1.2 us 正向連續電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel |
| 1N5619GP-E3/4 | 功能描述:整流器 1.0 Amp 600 Volt Glass Passivated RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復時間:1.2 us 正向連續電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel |
| 1N5619GP-E3/51 | 功能描述:整流器 1.0 Amp 600 Volt Glass Passivated RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復時間:1.2 us 正向連續電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel |
| 1N5619GP-E3/54 | 功能描述:整流器 1.0 Amp 600 Volt RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復時間:1.2 us 正向連續電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel |
| 1N5619GP-E3/73 | 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 1A DO201AD 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:帶盒（TB） 零件狀態:有效 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 1A 速度:快速恢復 = 200mA（Io） 反向恢復時間（trr）:250ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 600V 不同?Vr，F 時的電容:25pF @ 4V，1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-201AD，軸向 供應商器件封裝:DO-201AD 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:2,000 |
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